时间：2025/12/27 10:18:44
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TMK316BJ225MLHT是村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于村田的GCM系列，采用小型表面贴装封装，适用于高密度印刷电路板设计。该电容器的介质材料为X5R类陶瓷，具有良好的温度稳定性和较高的体积效率，能够在-55°C至+85°C的温度范围内保持电容值变化在±15%以内。其标称电容值为2.2μF（即225表示2.2×10^5 pF），额定电压为16V DC，适合用于中等电压、大容量去耦、旁路和滤波应用。该器件采用0603（1608公制）封装尺寸，尺寸紧凑，便于在空间受限的便携式电子设备中使用。TMK316BJ225MLHT无铅且符合RoHS环保要求，支持回流焊工艺，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制设备中。由于其低等效串联电阻（ESR）和优良的高频特性，该电容器在电源管理单元中可有效抑制噪声并提高系统稳定性。
电容值：2.2μF
额定电压：16V DC
电容容差：±20%
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，ΔC/C ≤ ±15%）
封装尺寸：0603（1608 公制）
长度：1.6 mm ±0.15 mm
宽度：0.8 mm ±0.15 mm
高度：1.05 mm Max
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：钡钛酸盐陶瓷（Class II, X5R）
直流偏压特性：在16V偏压下，电容值下降约40%-60%（典型值）
绝缘电阻：≥500 MΩ 或 R × C ≥ 10000 MΩ·μF
耐电压：2.5倍额定电压，1分钟内无击穿或闪络
等效串联电阻（ESR）：典型值在几十毫欧至数百毫欧范围（频率依赖）
等效串联电感（ESL）：典型值约0.4 nH
TMK316BJ225MLHT具备出色的电容密度，在0603的小型封装中实现了2.2μF的大容量输出，这得益于村田先进的叠层陶瓷制造工艺和高介电常数的X5R陶瓷材料。X5R介质确保了在宽温度范围内电容值的相对稳定性，适用于对温度变化有一定要求但不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。该电容器的一个显著特点是其良好的直流偏压响应特性。尽管所有Class II陶瓷电容器都会在施加直流电压时出现电容下降现象，但TMK316BJ225MLHT通过优化内部电极结构和介质配方，将16V工作电压下的电容衰减控制在合理范围内（通常为初始值的40%-60%），从而保证在实际电源去耦应用中的有效滤波能力。此外，该器件具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能保持优异的阻抗特性，能够有效滤除开关电源产生的高频噪声，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
该产品采用镍阻挡层端子电极结构（Ni barrier terminal），具有良好的可焊性和耐热冲击性能，能够承受多次回流焊过程而不损坏。其端电极经过三层结构设计（内电极-镍阻挡层-锡外涂层），有效防止焊料侵蚀和银离子迁移，提高了长期使用的可靠性。TMK316BJ225MLHT符合AEC-Q200汽车电子标准的部分要求，虽非专为汽车级应用设计，但在工业级和消费类严苛环境中仍表现出稳定的电气性能。由于其小尺寸和高性能的结合，该电容器被广泛用于BGA封装芯片周围的局部去耦、DC-DC转换器输入/输出滤波、FPGA和微处理器的电源轨稳定等场合。同时，该器件对机械应力较为敏感，安装时需注意PCB弯曲和热应力影响，建议采用柔性基板或应力缓解设计以避免裂纹产生。
TMK316BJ225MLHT主要用于各类电子设备中的电源去耦和噪声滤波。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常用于为应用处理器、内存模块和射频前端供电的DC-DC转换器输出端提供储能和纹波抑制功能。其小尺寸特性非常适合高密度PCB布局需求。在通信设备领域，该器件可用于基站模块、光模块和网络交换机中的电源管理单元，帮助稳定电压并减少高频干扰。在计算机及外围设备中，它广泛应用于主板、显卡和固态硬盘（SSD）的电源电路中，作为CPU/GPU核心电压调节模块（VRM）的旁路电容，快速响应瞬态电流变化，维持供电平稳。此外，该电容器也适用于工业自动化控制系统、医疗电子设备和测试测量仪器中的模拟与数字混合信号电路，用于隔离电源噪声，提高信号完整性。在LED照明驱动电源中，该器件可用于次级侧滤波，改善输出电流稳定性。由于其具备一定的温度和电压稳定性，也可用于中等精度的定时和耦合电路，尽管此类应用不如去耦普遍。
GRM188R71C225KA01D
CL10A225KO8NNNC
C1608X5R1C225K
