时间：2025/6/30 16:25:18
阅读：3
TMK316B7684KL-T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换和 DC-DC 转换器等电力电子领域。其采用先进的半导体制造工艺，在导通电阻、开关速度和热性能方面表现出色。
型号：TMK316B7684KL-T
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：32A
BVDSS（漏源击穿电压）：60V
Qg（总栅极电荷）：29nC
fT（转换频率）：1.4MHz
Vgs(th)（阈值电压）：2.2V
Tj（工作结温范围）：-55℃至+175℃
TMK316B7684KL-T 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效能量转换并减少功率损耗。
2. 高电流处理能力（最大 Id 为 32A），适合大功率应用。
3. 快速开关性能，适用于高频电路设计。
4. 小型化的 TO-252 封装，节省 PCB 空间并易于安装。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 高可靠性，经过严格的质量控制流程测试。
该 MOSFET 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动和逆变器系统中的功率级组件。
3. 各类负载切换电路，如电池管理系统（BMS）。
4. 用于 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关功能。
5. 通信电源、工业自动化设备及消费类电子产品中的功率管理部分。
IRFZ44N
FDP5570
STP32NF06L
