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SPN09T10T252RG 发布时间 时间:2025/9/1 19:38:12 查看 阅读:10

SPN09T10T252RG 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率晶体管,属于N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效能功率转换应用设计,适用于如电源管理、DC-DC转换器、马达驱动器以及负载开关等场景。SPN09T10T252RG 采用先进的技术,具备低导通电阻、高耐压能力和高开关频率特性,能够显著提升系统效率和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):90V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID)@25°C:10A
  导通电阻(RDS(on)):最大0.25Ω @VGS=10V
  功率耗散(PD):3.8W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:PowerSO-10

特性

SPN09T10T252RG 的主要特性之一是其出色的导通性能。在VGS为10V时,最大导通电阻仅为0.25Ω,这使得该器件在导通状态下具有极低的功耗,从而减少发热并提高整体系统效率。此外,该MOSFET具备高达90V的漏源耐压能力,适用于多种中高压功率转换应用。
  该器件支持高达10A的连续漏极电流(在25°C环境温度下),能够在高负载条件下稳定运行。栅极驱动电压范围为±20V,具有较强的抗电压冲击能力,确保在各种工作条件下都能可靠导通和关断。
  SPN09T10T252RG 采用PowerSO-10封装形式,该封装不仅具有良好的散热性能,还具备较高的机械强度和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。其封装设计有助于减少寄生电感,从而提高高频开关性能。
  此外,该MOSFET具备较高的开关速度,适合高频开关应用,有助于减小外部电感和电容的尺寸,提升整体系统集成度。同时,其热阻较低,能够在较高环境温度下维持稳定运行。

应用

SPN09T10T252RG 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及车载电子系统。在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关器件,实现高效的电压转换;在电机驱动电路中,可用于控制电机的启停和转速;在电池管理系统中,可用于电池充放电控制和保护电路。此外,该器件也可用于高边或低边开关应用,如LED驱动器、电源分配系统等。

替代型号

SPN09T10T252RGT, STP90NF09T4, IRFZ44N, IPD90N09S4-03

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