类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　最大集电极电流（Ic）：20A
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　电流增益（hFE）：在 Ic=2A 时为 15 至 100
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-213AA（也称为 SOT-428）

CDR63B-100MC 具备一系列优良的电气和机械特性，以满足高功率应用的需求。首先，其高达 100V 的集电极-发射极击穿电压使其适用于多种中高压电路设计。其次，该晶体管可承受最大 20A 的集电极电流，具备出色的电流承载能力。
　　此外，CDR63B-100MC 的最大功耗为 125W，在良好的散热条件下可以实现高效的功率放大和开关控制。其电流增益 hFE 在 Ic=2A 条件下范围为 15 至 100，表明其在不同工作条件下均能提供良好的放大性能。
　　该器件采用 TO-213AA 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业环境中的高可靠性要求。其工作温度范围为 -65°C 至 +150°C，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于多种恶劣环境下的应用。
　　值得一提的是，CDR63B-100MC 具备较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。同时，其具备较高的热稳定性，能够有效防止因温度升高而引起的性能下降或失效。

CDR63B-100MC 广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化控制系统中的功率开关和电机驱动电路；电源变换器、逆变器和稳压电源等功率电子设备；音频放大器的输出级，用于提供高保真的声音输出；电动工具、电动汽车和电池管理系统中的功率控制模块；以及各种需要高电流、高电压处理能力的电子设备中。
　　由于其高可靠性与良好的电气性能，CDR63B-100MC 也常被用于测试设备、工业继电器驱动器以及大功率 LED 照明控制等应用中。

TIP142, MJ15003G, BDW101B, CDR63B-100M