TMK316B7106KL-TD 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-252(DPAK),具备较高的电流承载能力和耐压能力,适用于各种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:16A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:29nC
输入电容:1200pF
典型阈值电压:2.1V
工作结温范围:-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,支持高达1MHz的工作频率。
3. 内置反向恢复二极管,可减少开关过程中的振荡现象。
4. 强大的散热能力,确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且适合多种应用场景。
6. 封装紧凑,便于PCB布局设计和自动化生产。
7. 提供完善的保护机制,包括过流保护和短路保护功能。
1. 开关模式电源(SMPS):
- 反激式、正激式、半桥和全桥拓扑结构。
2. DC-DC转换器:
- 升压、降压和升降压电路。
3. 电机驱动:
- 无刷直流电机(BLDC)控制器。
4. 工业自动化设备:
- PLC模块、伺服驱动器。
5. 消费类电子:
- 笔记本电脑适配器、充电器等。
6. 通信电源:
- 数据中心服务器供电单元。
7. 太阳能微逆变器:
- 分布式光伏发电系统中的功率调节组件。
IRFZ44N, FDP5500, AO3400A