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TMK316B7106KL-TD 发布时间 时间:2025/5/10 9:55:46 查看 阅读:4

TMK316B7106KL-TD 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-252(DPAK),具备较高的电流承载能力和耐压能力,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:29nC
  输入电容:1200pF
  典型阈值电压:2.1V
  工作结温范围:-55℃ to +150℃

特性

1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高达1MHz的工作频率。
  3. 内置反向恢复二极管,可减少开关过程中的振荡现象。
  4. 强大的散热能力,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合多种应用场景。
  6. 封装紧凑,便于PCB布局设计和自动化生产。
  7. 提供完善的保护机制,包括过流保护和短路保护功能。

应用

1. 开关模式电源(SMPS):
   - 反激式、正激式、半桥和全桥拓扑结构。
  2. DC-DC转换器:
   - 升压、降压和升降压电路。
  3. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)控制器。
  4. 工业自动化设备:
   - PLC模块、伺服驱动器。
  5. 消费类电子:
   - 笔记本电脑适配器、充电器等。
  6. 通信电源:
   - 数据中心服务器供电单元。
  7. 太阳能微逆变器:
   - 分布式光伏发电系统中的功率调节组件。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AO3400A

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TMK316B7106KL-TD参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容10µF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±10%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.071"(1.80mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-2399-6