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BTS54220-LBE 发布时间 时间:2025/5/28 19:53:41 查看 阅读:12

BTS54220-LBE 是英飞凌(Infineon)推出的一款高端功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用先进的沟槽技术制造,专为高效率、低功耗应用设计。这款芯片适用于负载开关、电机驱动和直流-直流转换等场景。其封装形式为 LGA 封装(LBE 表示特定的封装版本),具有极低的导通电阻和快速的开关性能。

参数

最大电流:38A
  导通电阻:1.4mΩ
  电压范围:-0.3V 至 30V
  工作温度:-40°C 至 +170°C
  封装形式:LGA-11(LBE)
  栅极电荷:29nC
  连续漏极电流:38A
  反向恢复时间:60ns

特性

BTS54220-LBE 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 内置过温保护功能,确保在极端条件下的可靠性。
  4. 高效的热管理能力,支持长时间稳定运行。
  5. 小型化封装设计,节省电路板空间。
  6. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用。
  7. 支持大电流操作,满足高性能设备需求。
  BTS54220-LBE 的设计使其成为许多高要求电子系统中的理想选择。

应用

BTS54220-LBE 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子系统中的电机控制和负载开关。
  2. 工业自动化设备中的电源管理。
  3. 高效 DC-DC 转换器的核心组件。
  4. 移动设备及消费类电子产品中的电源管理模块。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率调节。
  6. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  其出色的性能和可靠性使它在多种复杂环境中表现出色。

替代型号

BTS54220GAL_L1,
  BTS54220E_L1,
  BTS54220ELG,
  BTS54220K_L1,
  BTS54220KLG

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