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TMK212SD103JD-T 发布时间 时间:2025/6/19 12:27:33 查看 阅读:1

TMK212SD103JD-T 是一款高性能的开关二极管,广泛应用于高频信号切换、ESD保护以及高速数据传输电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低电容、低漏电流和高可靠性等特性。它非常适合在通信设备、消费类电子产品和工业控制领域中使用。

参数

型号:TMK212SD103JD-T
  类型:开关二极管
  最大反向电压:30V
  正向电流(IF):150mA
  反向恢复时间(trr):4ns
  结电容(Cj):0.4pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOD-882

特性

这款二极管的核心优势在于其超快的反向恢复时间和非常低的结电容,这使得它非常适合用于高频应用。
  具体特点包括:
  1. 极低的反向恢复时间(trr),仅为4纳秒,确保了在高频环境下优异的性能表现。
  2. 结电容仅为0.4皮法,减少了对高频信号的影响,从而提升了整体系统的效率。
  3. 在宽广的工作温度范围内表现出色,适应各种恶劣环境条件。
  4. 小型化的SOD-882封装设计,既节省了PCB空间,又提高了布局灵活性。
  5. 具备良好的抗静电能力,能够有效保护敏感电子元件免受ESD损害。

应用

TMK212SD103JD-T 主要应用于需要快速切换和低负载电容的场景,例如:
  1. 高速数据线的信号切换与保护。
  2. 射频模块中的开关功能。
  3. 移动通信设备中的天线切换。
  4. ESD保护电路,保障关键元件不受瞬态电压影响。
  5. 工业自动化系统中的高频信号处理单元。

替代型号

TMK212SD102JD-T, BAV99W, 1SS358

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TMK212SD103JD-T参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CFCAP™
  • 电容10000pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±5%
  • 温度系数-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.95mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低失真
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-