时间：2025/6/24 15:44:09
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TMK212BJ225KGHT 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
该器件基于 N 沟道增强型技术，能够有效降低功耗并提升系统整体性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：90nC
开关时间：ton=14ns, toff=25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TMK212BJ225KGHT 的主要特点是其出色的电气性能和可靠性。它具备超低的导通电阻，这有助于减少传导损耗，从而提高系统的效率。同时，其快速的开关速度使得该芯片非常适合高频开关应用。此外，该器件还具有优异的热稳定性和抗雪崩能力，确保在极端条件下也能正常工作。
它的封装形式经过优化，能够提供良好的散热性能，并支持大电流操作。这种设计使其成为需要高功率密度应用的理想选择。
该芯片常用于多种工业场景中，例如高效 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电动车辆牵引逆变器以及太阳能微逆变器等。此外，在各类电机驱动电路中也有广泛应用，如伺服电机控制器和机器人驱动系统。由于其出色的耐高温特性和稳定性，TMK212BJ225KGHT 还被广泛应用于航空航天及军事电子设备中的功率调节模块。
TMK212AJ225KGHT, IRF2120N, FDP18N60E
