TMK212BBJ226MG-TT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关特性方面表现出色,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业电子设备中。
该型号属于 TMK 系列,具有出色的热性能和电气性能,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
类型:MOSFET
封装:TO-263
Vds(漏源电压):200V
Rds(on)(导通电阻):22mΩ
Id(连续漏极电流):14A
栅极电荷:38nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
TMK212BBJ226MG-TT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适用于现代高效能电源转换器。
3. 高额定漏源电压 (Vds),使其在高压环境下表现优异。
4. 强大的散热能力,确保在高温条件下仍能稳定运行。
5. 可靠性高,经过严格的质量测试,适合工业级应用需求。
6. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时保持良好的电气性能。
该芯片可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
4. 逆变器和 UPS 系统。
5. LED 驱动器和汽车电子系统。
6. 其他需要高效功率管理的场合。
TMK212BBJ226MG, IRF2210, FQP14N20