电容：1.0μF
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X7R（±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸（英制）：0805
　　尺寸（公制）：2.0mm × 1.2mm × 1.25mm（最大）
　　电容容差：±10%
　　介质材料：X7R陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　老化特性：≤±2.5% / decade hour
　　直流偏压特性：随电压升高电容值有所下降，需参考具体DC bias曲线
　　等效串联电阻（ESR）：典型值在几十毫欧至几百毫欧之间，取决于频率和测试条件
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R×C ≥ 500Ω·F（取较大者）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
　　可焊性：符合JIS C 5002标准

TMK212B7105KGHT采用村田独有的陶瓷材料与精密叠层工艺，使其在高温和高湿环境下仍能维持稳定的电容性能。X7R介质材料保证了在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内电容变化不超过±15%，这一特性使其非常适合用于需要宽温工作的工业和汽车应用。相比Z5U或Y5V等非线性介质，X7R提供了更可靠的电容稳定性，避免了在温度波动时出现显著容量漂移的问题，从而提高了系统设计的鲁棒性。
　　该电容器的一个显著特点是其在直流偏压下的性能表现。尽管所有MLCC都会在施加直流电压时出现电容下降的现象，但TMK212B7105KGHT通过优化内部电极结构和介质配方，在25V工作电压下仍能保留较高比例的标称电容，通常可在16V偏压下保持约70%-80%的初始容量。这一特性对于电源去耦应用尤为重要，因为它直接影响去耦效果和电源纹波抑制能力。设计人员应结合村田提供的DC bias曲线进行精确评估，以确保实际工作条件下满足系统需求。
　　在高频性能方面，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在数十MHz至数百MHz频段内表现出优异的阻抗特性，适合作为高速数字电路中的去耦电容。配合其他小容值电容（如0.1μF或0.01μF）可形成多级滤波网络，有效抑制开关噪声和瞬态电流干扰。此外，其镍阻挡层/锡镀层端子设计增强了抗迁移能力，防止银离子迁移导致短路，提升了长期使用的安全性。
　　机械结构上，TMK212B7105KGHT采用强化型端子结构（Flexible Terminal或Soft Termination技术），能够吸收PCB弯曲或热应力带来的形变，显著降低因机械应力引发的陶瓷裂纹风险。这一设计特别适用于车载电子或工业设备中可能经历剧烈振动或温度循环的场景。同时，该产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（THHB）、温度循环（TC）、可焊性、耐焊接热等项目，确保出厂品质一致性。

TMK212B7105KGHT因其稳定的电气性能和高可靠性，广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，常用于手机、平板电脑、智能穿戴设备的电源管理单元中，作为DC-DC转换器输出端的滤波电容，有效平滑输出电压并抑制高频噪声。其小尺寸和高容值密度使其成为紧凑型便携设备的理想选择。
　　在工业控制领域，该电容器被用于PLC模块、传感器接口电路和电机驱动器中，承担电源去耦和信号耦合功能。其宽温特性和抗干扰能力确保了在恶劣工业环境下的稳定运行。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，TMK212B7105KGHT可用于模拟前端或数字IC供电引脚的旁路，提升信号完整性和系统抗噪能力。
　　在汽车电子系统中，该器件适用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统、ADAS传感器电源等非动力总成应用。虽然未明确标注为AEC-Q200认证器件，但在许多车载设计中仍被广泛采用，尤其是在对成本和空间敏感的应用中。其耐高温能力和抗振动结构有助于应对车辆运行中的复杂工况。此外，在医疗电子、测试仪器和电源适配器等对长期稳定性要求较高的设备中，该电容器也发挥着重要作用，提供可靠的储能和滤波功能。

GRM21BR71H105KA01L
　　CL21B105KAQNNNE
　　C2012X7R1H105K
　　EMK212B7105KG-T