时间：2025/6/19 1:32:06
阅读：3
TMK105SD122JV-F 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能。
TMK105SD122JV-F 属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种工业和汽车级应用场景。其封装形式通常为 TO-247 或类似的功率封装，能够提供出色的散热性能以满足严苛的工作条件。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.03Ω
栅极电荷：180nC
输入电容：2500pF
总开关能量损耗：3.5mJ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力，额定值达到 1200V，非常适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输，并减少了发热。
3. 快速的开关速度降低了开关损耗，从而提高了整体效率。
4. 具备强大的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下保护电路。
5. 支持高频率操作，适用于开关电源、逆变器以及其他高频功率转换设备。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车电子系统中的关键任务。
7. 优化的热设计允许更高的功率密度和更长的使用寿命。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的牵引逆变器和 DC-DC 转换器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业电机驱动和伺服控制系统。
5. 高频变压器和感应加热装置。
6. 不间断电源 (UPS) 和其他储能解决方案。
7. 各种需要高效功率管理的电子设备。
TMK105SD125HV-G, IRFP260N, FGA25N120AMD
