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IXFH46N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 13:06:12 查看 阅读:12

IXFH46N65X2 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司生产)制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源转换、电机控制、逆变器和高功率 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的高密度沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于高效率、高频率的电力电子系统。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压 Vds:650V
  栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id(@TC=100℃):46A
  漏极功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装类型:TO-247
  导通电阻 Rds(on)(最大值):45mΩ(@Vgs=10V)
  栅极电荷 Qg(典型值):165nC
  输入电容 Ciss(典型值):4100pF

特性

IXFH46N65X2 的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具有高雪崩能量耐受能力,能够承受突发的高电压冲击,增强了系统的可靠性。
  其次,该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构设计,优化了开关性能,降低了开关损耗,使其适用于高频开关应用。此外,其高栅极电荷(Qg)虽然略高于一些低功率 MOSFET,但在高功率应用场景中仍能保持良好的可控性和稳定性。
  在封装方面,IXFH46N65X2 使用的是 TO-247 标准封装,便于散热和安装,适用于大功率应用中的散热管理。该封装还具备良好的机械稳定性和电气绝缘性能,适合工业级和汽车级应用环境。
  此外,该器件具有良好的热稳定性,在高温下仍能保持稳定的电气性能,适用于恶劣环境下的高可靠性设计。

应用

IXFH46N65X2 广泛应用于多种高功率电子系统中,例如:工业电源、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电系统、电池管理系统(BMS)、DC-DC 转换器以及各种高效率电源转换设备。
  在逆变器应用中,该器件可用于将直流电转换为交流电,适用于光伏逆变器和电机控制逆变器。在电源供应器中,它可作为主开关器件,用于实现高效率的 AC-DC 或 DC-DC 转换。在电机控制中,其快速开关能力和高电流承载能力可有效驱动各种电机负载。
  此外,由于其良好的热性能和高可靠性,IXFH46N65X2 也适用于汽车电子系统中的高压直流转换和充电控制电路,例如电动汽车车载充电器和电池管理系统。

替代型号

IXFH48N65X2, IXFH50N65X2, IXFH40N65X2

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IXFH46N65X2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥85.78000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)46A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)76 毫欧 @ 23A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)75 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4810 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)660W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3