时间：2025/6/28 20:01:02
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TMK063CG821JT-F 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高频开关应用设计。它采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于电源管理、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
该器件采用了 TO-263 封装形式，具有出色的散热性能，能够满足工业级和消费级电子设备的严格要求。
型号：TMK063CG821JT-F
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：40A
功耗：250W
封装：TO-263
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：9nC
TMK063CG821JT-F 的主要特点是其低导通电阻 (RDS(on)) 和高效率开关性能。这使得它在高频条件下仍然保持较低的功率损耗，非常适合需要高效率和高可靠性的应用。
此外，它的高漏极电流能力 (40A) 和宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 确保了其能够在恶劣环境下稳定运行。器件的 TO-263 封装还提供了良好的热管理和电气连接性能。
这款 MOSFET 还具有快速开关能力，可减少开关损耗，并支持高效的同步整流和负载切换操作。其耐雪崩能力也进一步提升了系统的可靠性。
TMK063CG821JT-F 广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源 (SMPS) 中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流 MOSFET。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护电路。
4. 电机驱动中的逆变器桥臂元件。
5. 充电器、适配器及 LED 驱动器中的功率控制组件。
由于其优异的电气特性和封装优势，TMK063CG821JT-F 成为了许多工业级和消费级产品的理想选择。
TMK063CG821JN-F, TMK063CG821JP-F
