时间：2025/6/28 16:06:53
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TMK063CG390JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动等场景。其封装形式和电气性能使其成为工业及消费电子领域中的理想选择。
型号：TMK063CG390JT-F
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.39Ω
总功耗(Ptot)：280W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
TMK063CG390JT-F 的主要特点是其具备极低的导通电阻 (Rds(on)) 和优秀的热稳定性，能够在高频工作条件下保持较低的能量损耗。此外，这款功率 MOSFET 提供了快速的开关速度和出色的抗雪崩能力，从而提升了系统的可靠性和效率。
其大电流承载能力和宽泛的工作温度范围使其非常适合在严苛环境下使用。同时，该器件还具有较高的dv/dt耐受能力，可减少寄生振荡的风险并改善电磁兼容性表现。
得益于先进的沟槽式结构设计，TMK063CG390JT-F 在动态和静态性能上都表现出色，确保了高效且稳定的电力传输。
TMK063CG390JT-F 广泛应用于各种高功率密度的电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源(SMPS)
- 太阳能逆变器
- 电动工具与家用电器中的电机驱动
- 工业自动化控制中的负载切换
- 不间断电源(UPS)系统
- 电动汽车(EV)充电设备
由于其出色的电气特性和可靠性，TMK063CG390JT-F 成为了众多工程师在设计高要求电路时的首选方案。
IRFZ44N, FQP17N60, STP17NF65
