时间：2025/7/12 7:53:03
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2SK2867-TB是一款N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频率、大功率的开关电路中。该型号以其优异的高频特性和低导通电阻而著称，适合于射频放大器、DC-DC转换器和开关电源等应用领域。
这款器件采用TO-3PF封装形式，能够承受较高的电压和电流，并且具有良好的散热性能。其主要特点是快速开关速度和较低的栅极电荷，这使得它在高频工作条件下表现出色。
最大漏源电压：150V
最大漏极电流：14A
最大功耗：175W
导通电阻：0.18Ω
栅源开启电压：4V
总栅极电荷：10nC
输入电容：420pF
输出电容：100pF
反向传输电容：12pF
2SK2867-TB具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可承受高达150V的工作电压。
2. 较大的漏极电流容量（14A），适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，尤其适用于射频功率放大器。
4. 极低的导通电阻（0.18Ω），从而减少导通损耗并提高效率。
5. TO-3PF封装形式提供了优秀的散热能力和机械稳定性。
6. 栅极驱动要求较低，易于与其他控制电路集成。
7. 优越的热稳定性和可靠性，能够在苛刻环境下长期运行。
该型号晶体管主要用于以下领域：
1. 射频功率放大器，特别适用于业余无线电和专业通信设备。
2. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的功率开关。
3. 逆变器电路和电机驱动控制器。
4. 高频振荡器和脉宽调制（PWM）电路。
5. 各类工业自动化设备和电子测试仪器中的功率管理部分。
由于其出色的电气性能和可靠性，2SK2867-TB成为许多设计工程师的理想选择。
2SK2867, 2SK2867P, IRFP250N
