电容值：2.0pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402 (1.0 x 0.5 mm)
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流电阻（DCR）：高绝缘电阻（典型 >100 GΩ）
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　等效串联电感（ESL）：低
　　老化率：0% per decade
　　焊接方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（如适用）

TMK042CG820JC-FW所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质赋予了其卓越的温度稳定性，其电容值在-55°C至+125°C的整个工作温度范围内变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何波动，电容器都能保持极其稳定的电容性能，不会因温度漂移而影响电路调谐或匹配效果。这种高度的稳定性使其成为射频匹配网络、振荡器、滤波器和定时电路中的理想选择。
　　该电容器还表现出优异的电压系数表现，即在不同施加电压下电容值几乎不发生变化，这对于高精度模拟电路和高频小信号处理至关重要。相比之下，X7R或Y5V类电介质在接近额定电压时可能出现显著的电容下降，而C0G介质则无此问题。此外，C0G材料具有极低的介质损耗（tanδ < 0.1%），意味着能量损耗极小，有助于提升电路的整体效率和Q值，特别适合用于高Q谐振电路中。
　　结构上，TMK042CG820JC-FW采用多层叠层设计，在微小的0402封装内实现了可靠的电容性能。其内部电极通常使用贵金属材料（如银钯合金），具备良好的导电性和耐热性，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性。外部端子采用镍阻挡层和锡镀层结构，有效防止焊接过程中的“银迁移”现象，提高长期可靠性。
　　该器件具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频应用中表现出色，能够有效减少高频信号传输中的能量损耗和相位失真。其高频响应能力可覆盖GHz级别，适用于Wi-Fi（2.4GHz/5GHz）、蓝牙、ZigBee等无线通信系统的匹配与耦合电路。
　　此外，TMK042CG820JC-FW具备出色的抗老化性能，电容值不会随时间推移而发生衰减，使用寿命长，可靠性高。其高绝缘电阻（通常大于100GΩ）也保证了极低的漏电流，适用于高阻抗节点和敏感模拟前端电路。综合来看，该电容器凭借其微型化、高性能和高可靠性，已成为现代高频电子系统中不可或缺的基础元件之一。

该电容器主要应用于高频和超高频电子电路中，尤其是在对电容稳定性、温度特性和高频响应有严格要求的场合。常见应用包括射频前端模块中的阻抗匹配网络，用于确保天线、功率放大器、低噪声放大器之间的最佳信号传输效率。在无线通信设备如智能手机、平板电脑、物联网模块中，TMK042CG820JC-FW常用于Wi-Fi、蓝牙、NFC和GPS射频路径的滤波与耦合电路。
　　此外，该器件也广泛用于压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）、晶体振荡器旁路电路以及高频LC谐振电路中，其稳定的电容值有助于维持频率精度和相位噪声性能。在测试测量仪器、射频收发器和雷达系统中，该电容可用于构建高Q值滤波器和选频网络，以实现精确的频率选择和信号分离。
　　由于其低损耗和高稳定性，该电容器也适用于精密模拟信号链中的耦合、去耦和旁路功能，特别是在高速ADC/DAC前端电路或低噪声放大器输入端，能够有效抑制干扰并保持信号完整性。在汽车电子领域，尤其是车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的射频模块，该型号在满足AEC-Q200可靠性标准的前提下，提供了稳定可靠的高频性能支持。
　　工业控制、医疗电子和航空航天等高可靠性要求的领域也越来越多地采用此类高性能MLCC，用于关键信号路径的滤波与匹配。总之，TMK042CG820JC-FW凭借其优异的电气特性，已成为现代高频、高稳定性电子系统中的核心无源元件之一。

GRM155C81H20JA01D
　　CC0402JRNPO9BN2R0
　　RLC042C2R0CBNPO