TMG16C60F 时间：2025/12/28 3:51:19 阅读：21

TMG16C60F是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和双扩散技术制造，能够在高压环境下实现低导通电阻和优异的开关性能。作为一款600V耐压的功率MOSFET，TMG16C60F适用于多种工业、消费类及电源管理系统中，特别是在需要高能效和紧凑设计的场合表现出色。该器件封装在TO-220或类似的大功率封装中，具备良好的热传导能力，可有效将芯片产生的热量传递至散热器，从而提升整体系统可靠性。其内部结构优化了电场分布，增强了雪崩能量承受能力，提高了器件在瞬态过压情况下的鲁棒性。此外，TMG16C60F还具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体转换效率。由于其出色的电气特性和稳定性，该MOSFET广泛应用于AC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动电源以及电机控制等电力电子领域。
　　

参数

型号：TMG16C60F
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：16A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：64A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

TMG16C60F具备多项先进特性，使其在高压功率开关应用中表现卓越。首先，其600V的高击穿电压确保了在标准市电整流后的高压直流母线环境中稳定运行，适用于全球范围内的交流输入电源系统。其次，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为0.22Ω，在16A的工作电流下显著降低了导通损耗，提升了系统能效。这一特性对于追求高效率的电源设计尤为重要，尤其是在满载或持续负载条件下，能够有效减少发热并降低对散热系统的要求。
　　此外，TMG16C60F采用了优化的沟槽栅结构，大幅降低了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），从而减少了开关过程中的驱动损耗和延迟时间，使得器件在高频开关应用中依然保持高效。其较低的输出电容（Coss）也有助于减小关断时的能量损耗，进一步提升开关电源的整体效率。该器件还具备良好的热稳定性，其最大结温可达150°C，并结合TO-220封装的良好热传导性能，适合在高温环境下长期可靠运行。
　　另一个关键特性是其增强的雪崩耐量能力。在电源系统中，感性负载切换或线路突变可能引起电压尖峰，导致器件承受超出额定电压的瞬态应力。TMG16C60F经过设计优化，能够在非重复雪崩条件下承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性和故障容忍度。同时，该MOSFET具有较宽的栅源电压范围（±30V），增强了对栅极驱动电路异常（如电压过冲）的抵抗能力，防止因误触发而导致的损坏。
　　此外，TMG16C60F符合RoHS环保标准，无铅且不含重金属污染物，适用于现代绿色电子产品制造。其可靠的封装工艺也确保了在自动焊接过程中不易出现裂纹或连接不良问题，适合大规模自动化生产。总体而言，这些综合特性使TMG16C60F成为高性能电源转换系统中理想的功率开关元件。

应用

TMG16C60F广泛应用于各类需要高效、高电压功率开关的电子系统中。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS），例如用于台式计算机、服务器和工业设备的AC-DC适配器和电源模块。在这些系统中，该MOSFET常用于主开关拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振转换器中，承担能量传输和电压调节的关键任务。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电源，尤其是大功率LED路灯、商业照明和户外灯具中的恒流驱动电路。由于LED驱动要求高效率和长寿命，TMG16C60F的低导通损耗和高可靠性正好满足这些需求。在光伏逆变器系统中，它可用于直流侧的功率转换级，帮助实现太阳能板输出电能的高效变换与并网处理。
　　工业电机控制领域也是其重要应用方向之一，特别是在小型变频器、直流电机驱动和电磁阀控制中，TMG16C60F可以作为功率开关元件实现精确的电能调控。此外，在不间断电源（UPS）、充电器（如电动车充电桩、手机快充）以及家用电器（如空调、洗衣机）的电源管理模块中，该器件同样发挥着重要作用。得益于其高耐压、低损耗和良好热性能，TMG16C60F能够适应复杂多变的工作环境，保障系统长时间稳定运行。