类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　漏极电流（ID）：10 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.68 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：约 25 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

TMG10C60H具有多项优异性能，首先其高达600V的漏源击穿电压（BVDS）使其适用于高电压应用场景，如功率因数校正（PFC）电路和高压直流电源系统。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，采用沟槽栅结构设计显著优化了跨导和开关速度，使得在高频操作下的性能表现良好。
　　该MOSFET还具备出色的抗雪崩能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下长期运行而不影响性能。同时，它的封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，便于安装在标准散热片上，满足不同散热需求。内置的快速恢复体二极管也提升了其在感性负载切换时的可靠性。
　　此外，TMG10C60H的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计与开发。

TMG10C60H主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。例如，在通信设备中的AC-DC和DC-DC电源模块中，它可以作为主开关器件，提高能量转换效率并减少发热。在工业自动化领域，该MOSFET可用于伺服电机控制器或变频器，以实现对电机转速和功率的精确控制。
　　此外，它还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的电池管理电路，以应对高压直流输入带来的挑战。在家电领域，TMG10C60H也可用于微波炉、电磁炉等高功率电器的电源控制部分，确保安全稳定的运行。
　　由于其高耐压和大电流能力，该器件也适合用于电动车充电系统、UPS不间断电源以及其他高可靠性要求的应用场合。

TK10A60W, IRFBC30