型号：TMG10C60F
　　类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　最大均方根电压（VRMS）：459V
　　最大直流阻断电压（VDC）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A
　　正向电压降（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 10A, TJ = 25°C）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：100μA（典型值，@ VR = 650V, TJ = 25°C）；1mA（最大值，@ VR = 650V, TJ = 150°C）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（理想肖特基特性，无少子存储效应）
　　封装形式：TO-220F
　　极性：单芯片，共阴极结构
　　安装方式：通孔安装
　　热阻（RthJC）：约3.0°C/W

TMG10C60F的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这使得它在高压应用中表现出卓越的电气性能和热稳定性。传统的硅基PIN二极管在高频开关过程中存在明显的反向恢复现象，导致较大的开关损耗和电磁干扰问题，而TMG10C60F由于是多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此在关断时不会产生反向恢复电流，极大减少了开关过程中的能量损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性特别适用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的高频DC-DC变换器、图腾柱PFC电路以及LLC谐振转换器等拓扑结构。
　　此外，该器件具有出色的高温工作能力，最高结温可达+175°C，远高于传统硅器件的+150°C限制。这意味着在高温环境下，TMG10C60F仍能保持稳定的电气性能，减少因过热引起的性能衰减或失效风险。对于需要紧凑散热设计的应用场景，如通信电源、车载OBC（车载充电机）和UPS不间断电源系统，这种高耐温能力允许设计者使用更小体积的散热器甚至实现自然冷却，从而降低系统成本和体积。
　　TMG10C60F还具备极低的反向漏电流，在常温下仅为100μA左右，即使在150°C高温条件下也控制在1mA以内，确保了在待机或轻载状态下的低静态功耗表现。同时，其正向导通压降较低（典型值1.7V @ 10A），有助于减少导通损耗，尤其在大电流工况下体现出明显的优势。结合其坚固的TO-220F封装和内置绝缘垫片支持，该器件可直接安装于散热片上，提升热传导效率并增强电气安全性。综合来看，TMG10C60F是一款面向未来高效能源转换系统的理想选择，兼具高性能、高可靠性和易用性于一体。

TMG10C60F因其优异的高频、高压和高温性能，被广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在通信电源领域，它常用于服务器和数据中心的高效AC-DC电源模块中，特别是在图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路中作为主整流元件，显著提升整机能效并满足80 PLUS钛金等级要求。在新能源发电系统中，如光伏发电逆变器，TMG10C60F可用于直流侧升压电路或MPPT（最大功率点跟踪）模块，利用其低损耗特性提高能量转换效率，延长系统寿命。
　　在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源及主功率回路中，帮助实现更高的功率密度和更快的充电速度。同时，在工业自动化设备中的变频器、伺服驱动器和UPS不间断电源系统中，TMG10C60F可作为续流二极管或防反接保护元件，有效抑制电压尖峰并提升系统动态响应能力。
　　此外，TMG10C60F也适用于各类高密度开关电源（SMPS），包括医疗电源、激光电源、LED驱动电源等对EMI和效率有严格要求的场合。其无反向恢复特性有助于降低噪声干扰，简化滤波电路设计，提升产品EMC性能。由于其具备良好的热稳定性和长期可靠性，该器件也适合部署在户外或高温恶劣环境中运行的设备中，例如轨道交通、智能电网终端设备等。总之，凡是追求高效率、小型化和高可靠性的现代电力电子系统，都是TMG10C60F的理想应用场景。

CREE C3D10060A
　　ON Semiconductor FFSH1065B
　　Infineon IDW10G65C
　　STMicroelectronics STPSC10H065Y
　　Microchip MSC010S060B