时间：2025/12/27 20:42:39
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BUW12AF是一款由英飞凌（Infineon） Technologies生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关模式电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率控制的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适合在高频率和高效率要求的应用场景下使用。BUW12AF封装于DPAK（TO-252）封装中，具备良好的散热性能，能够承受较高的功耗，并支持表面贴装工艺，适用于自动化大规模生产。
该MOSFET设计用于在400V的漏源电压下工作，连续漏极电流可达12A，脉冲电流能力更高，因此在中等功率级别的应用中表现出色。其栅极阈值电压较低，通常在2V至4V之间，允许与逻辑电平信号直接接口，简化了驱动电路的设计。此外，BUW12AF内置体二极管，能够在感性负载切换时提供反向电流路径，增强系统的可靠性。
作为一款高性能的功率MOSFET，BUW12AF还具备优良的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，提升了在恶劣工作环境下的鲁棒性。器件符合RoHS环保标准，并通过了工业级可靠性测试，确保长期稳定运行。由于其优异的电气特性和坚固的封装设计，BUW12AF被广泛用于工业控制、消费类电源适配器、照明电源以及太阳能逆变器等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：400 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：12 A
脉冲漏极电流（IDM）：48 A
导通电阻（RDS(on)）：0.3 Ω @ VGS = 10 V
导通电阻（RDS(on)）：0.36 Ω @ VGS = 4.5 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2 V ~ 4 V
输入电容（Ciss）：1100 pF
输出电容（Coss）：260 pF
反向恢复时间（trr）：45 ns
最大功耗（PD）：150 W
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
封装：DPAK (TO-252)
