TMF325B7475MMHP是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于功率器件系列。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种高效率电力电子应用。它主要被设计用于直流-直流转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率管理的场合。
该型号的MOSFET为N沟道增强型器件,其封装形式为行业标准的TO-247封装,便于散热和安装。由于其出色的电气性能和可靠性,TMF325B7475MMHP在工业级和商业级应用中都得到了广泛认可。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:25A
导通电阻:0.07Ω
栅极电荷:65nC
总功耗:300W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-247
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达750V,适合高压应用环境。
2. 低导通电阻,仅为0.07Ω,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能,栅极电荷较小(65nC),支持高频操作。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内正常工作(-55℃至175℃)。
5. 可靠性高,经过严格的测试和验证,确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
6. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)和牵引逆变器。
IRFP460, FQP18N75C, STP75NF06L