类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：10.8mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：72nC
　　功耗（PD）：160W
　　封装类型：PowerPAK? 8x8
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

TMCUA0G336MTRF 具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持高开关频率操作，适用于需要快速切换的应用，如同步整流和高频DC-DC转换器。此外，其封装采用PowerPAK? 8x8设计，具备良好的热管理能力，有助于在高功率密度环境下保持稳定运行。该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护。最后，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　在可靠性方面，TMCUA0G336MTRF 通过了AEC-Q101认证，适用于汽车电子等高要求环境。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提供了额外的安全裕度，防止因电压尖峰导致的损坏。该器件还具备出色的热稳定性，在高负载条件下仍能维持良好的性能。综合这些特性，TMCUA0G336MTRF 是高性能电源系统中理想的功率开关元件。

TMCUA0G336MTRF 适用于多种高功率和高频应用。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及汽车电子系统中的功率开关。此外，该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、电信电源系统和高效能电源适配器中。由于其具备高可靠性和良好的热管理性能，TMCUA0G336MTRF 也适用于需要长期稳定运行的工业和汽车应用。

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　　 "SiSS54DN",
　　 "IRF3710",
　　 "IPD90N03S4-03",
　　 "NTMFS5C434N"
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