时间：2025/9/14 23:43:21
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PMGD175XNE 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的双N沟道增强型MOSFET，采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用。PMGD175XNE采用SOT1220（DFN2020BD-6）小型封装，适用于需要高效率和空间受限的场合。
类型：双N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：20V
栅极-源极电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5.0A（@Vgs=4.5V）
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（@Vgs=4.5V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：SOT1220（DFN2020BD-6）
PMGD175XNE采用Nexperia的Trench MOSFET工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)），可在高电流负载下保持低功耗。其栅极电荷（Qg）较小，使得开关损耗更低，适用于高频开关应用。该器件支持双通道配置，可并联使用以实现更高的电流能力。此外，SOT1220封装具有优良的热性能，能够提供良好的散热效果，确保在高功率密度设计中的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压为4.5V至12V，兼容标准逻辑驱动电路，便于在各类电源管理系统中使用。其具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。PMGD175XNE还具有极低的漏电流（Ids @ Vds=0V时），有助于降低待机功耗，提高系统能效。
该器件在制造过程中遵循AEC-Q101汽车级认证标准，适合用于汽车电子系统中的功率管理与控制应用。同时，其无铅封装符合RoHS环保要求，适用于绿色电子设计。
PMGD175XNE适用于多种低电压、高效率的功率电子系统，包括移动设备电源管理、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动控制以及LED照明驱动电路等。由于其小型封装和优异性能，特别适合空间受限的便携式电子产品和汽车电子模块的设计。
PMGD175UN, PMGD185XNE, PMGD165XNE
