电容值：3.3μF
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：10V
　　封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　绝缘电阻：10000MΩ min.
　　介质材料：陶瓷（Class II）
　　端子类型：SMD/SMT
　　RoHS合规性：符合
　　电容器类型：多层陶瓷电容器（MLCC）

TMCSB1E335KTR是一款高性能多层陶瓷电容器，采用先进的陶瓷介质材料和精密的电极堆叠技术，确保了优异的电气性能和长期稳定性。其X5R温度系数保证了在-55°C至+85°C的工作温度范围内，电容值的变化率不超过±15%，非常适合在温度变化较大的环境中使用。此外，该电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色，能够有效滤除噪声和提供稳定的去耦效果。由于其高电容密度和小型化设计，该器件可在有限的PCB空间内实现高效的电容配置，广泛应用于现代电子设备中的电源和信号完整性设计。此外，该电容器符合RoHS指令，不含铅和有害物质，支持环保和可持续发展的设计需求。

TMCSB1E335KTR多层陶瓷电容器适用于多种电子设备和系统，特别是在对电容稳定性和高频性能要求较高的场合。典型应用包括电源管理电路中的去耦和滤波电容、DC-DC转换器中的输入/输出滤波器、通信设备中的射频电路旁路电容、以及工业控制系统中的模拟和数字电路去耦。此外，该电容器也常用于消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源稳压电路，以及汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、发动机控制单元）中的电源滤波和噪声抑制电路。由于其SMD封装形式，TMCSB1E335KTR也适用于自动化贴片工艺，提高生产效率并降低制造成本。

GRM32ER61C335KA12L; C3225X5R1C335K160AB; CL32E335KBHNNNE