您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1812Y683MBBAR31G

GA1812Y683MBBAR31G 发布时间 时间:2025/7/2 14:24:18 查看 阅读:7

GA1812Y683MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种工业及消费电子场景。其设计优化了热性能和电气性能,能够满足高效能转换需求。

参数

型号:GA1812Y683MBBAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围(Topr):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1812Y683MBBAR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗并提高效率。
  4. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定工作。
  5. 强大的抗浪涌能力,可应对复杂的工作条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

这款功率MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动电路,用于控制各种类型的电机。
  3. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  4. 太阳能逆变器中的功率管理模块。
  5. 电动车和混合动力车的动力系统组件。
  6. 各种需要高效率功率转换的电子设备。

替代型号

GA1812Y683MBBAR30G, IRF840, STP50NF06

GA1812Y683MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-