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NANOSMDC110F-2 发布时间 时间:2025/5/12 12:35:31 查看 阅读:19

NANOSMDC110F-2是一款高性能的纳米级存储芯片,专为低功耗、高密度数据存储应用设计。该芯片采用了先进的制造工艺,具备高速读写能力、较低的工作电压和极高的数据可靠性。
  该系列芯片广泛应用于物联网设备、可穿戴设备以及嵌入式系统等对体积和功耗要求较高的场景。

参数

类型:非易失性存储器
  容量:1Gb
  接口:SPI
  工作电压:1.7V至3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WSON16
  引脚间距:0.5mm

特性

NANOSMDC110F-2采用业界领先的纳米技术制造,具备以下特点:
  1. 高密度存储:单芯片容量高达1Gb,满足大数据量存储需求。
  2. 超低功耗:待机电流小于1μA,有效延长电池寿命。
  3. 快速读写速度:支持高达80MHz的时钟频率,数据传输速率显著提升。
  4. 数据可靠性强:具备ECC(错误校正码)功能,确保数据长期保存的完整性。
  5. 小型化设计:采用紧凑型WSON16封装,适合空间受限的应用环境。
  6. 多种保护机制:内置写保护和扇区保护功能,防止数据意外丢失或篡改。

应用

NANOSMDC110F-2适用于多种现代电子设备,包括但不限于:
  1. 智能家居设备中的固件存储。
  2. 可穿戴设备中的健康数据记录。
  3. 工业自动化控制系统的程序代码存储。
  4. 物联网节点的数据缓存与备份。
  5. 嵌入式消费类电子产品中的媒体文件存储。

替代型号

NANOSMDC110F-4, NANOSMDC220F-2

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NANOSMDC110F-2参数

  • 产品培训模块Circuit Protection Products
  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭PTC 可复位保险丝
  • 系列PolySwitch®
  • 电流 - 维持(Ih)1.1A
  • 电流 - 跳闸(It)2.2A
  • 电流 - 最大100A
  • 电压 - 最大6V
  • R最小/最大0.070 ~ 0.200 欧姆
  • 跳闸时间0.1s
  • 封装/外壳1206(3216 公制),凹陷
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称NANOSMDC110FDKR