SI4276DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用微型 DPAK (TO-263) 封装。该器件专为高效率、低功耗的应用而设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
其主要特点是出色的热性能、坚固耐用的设计以及能够承受高电流负载的能力,使其成为需要高效能功率转换应用的理想选择。
型号:SI4276DY-T1-E3
封装:TO-263(DPAK)
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):9.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
Id(连续漏极电流):42A
Pd(总功耗):108W
f(工作频率范围):高达 1MHz
Vgs(th)(栅极开启电压):2.5V(典型值)
Qg(总栅极电荷):23nC(典型值)
Qgs(栅源电荷):3.2nC(典型值)
Eoss(输出电容能量):17nJ(典型值)
SI4276DY-T1-E3 的主要特性包括:
1. 极低的 Rds(on),在高电流应用中减少了传导损耗,提高了整体效率。
2. 高速开关能力,适合高频操作,从而降低了开关损耗。
3. 强大的散热性能,通过优化的 TO-263 封装确保了更高的可靠性。
4. 支持宽范围的工作电压,使其兼容各种不同的电源系统。
5. 良好的电气耐受性和抗干扰能力,能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
这款 MOSFET 可广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器,用于电压调节和电池管理。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率级应用。
5. 通信电源和 UPS 系统。
6. 各种消费类电子产品中的负载切换和保护功能。
SI4276DP, SI4277DY, IRF540N