您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/3 14:25:01 查看 阅读:4

SI4276DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用微型 DPAK (TO-263) 封装。该器件专为高效率、低功耗的应用而设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
  其主要特点是出色的热性能、坚固耐用的设计以及能够承受高电流负载的能力,使其成为需要高效能功率转换应用的理想选择。

参数

型号:SI4276DY-T1-E3
  封装:TO-263(DPAK)
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):9.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  Id(连续漏极电流):42A
  Pd(总功耗):108W
  f(工作频率范围):高达 1MHz
  Vgs(th)(栅极开启电压):2.5V(典型值)
  Qg(总栅极电荷):23nC(典型值)
   Qgs(栅源电荷):3.2nC(典型值)
   Eoss(输出电容能量):17nJ(典型值)

特性

SI4276DY-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 极低的 Rds(on),在高电流应用中减少了传导损耗,提高了整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频操作,从而降低了开关损耗。
  3. 强大的散热性能,通过优化的 TO-263 封装确保了更高的可靠性。
  4. 支持宽范围的工作电压,使其兼容各种不同的电源系统。
  5. 良好的电气耐受性和抗干扰能力,能够在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

这款 MOSFET 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 直流-直流转换器,用于电压调节和电池管理。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的功率级应用。
  5. 通信电源和 UPS 系统。
  6. 各种消费类电子产品中的负载切换和保护功能。

替代型号

SI4276DP, SI4277DY, IRF540N

SI4276DY-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI4276DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.3 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.6W,2.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)