时间：2025/6/3 14:25:01
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SI4276DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用微型 DPAK (TO-263) 封装。该器件专为高效率、低功耗的应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
其主要特点是出色的热性能、坚固耐用的设计以及能够承受高电流负载的能力，使其成为需要高效能功率转换应用的理想选择。
型号：SI4276DY-T1-E3
封装：TO-263（DPAK）
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：9.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
Id（连续漏极电流）：42A
Pd（总功耗）：108W
f（工作频率范围）：高达 1MHz
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.5V（典型值）
Qg（总栅极电荷）：23nC（典型值）
Qgs（栅源电荷）：3.2nC（典型值）
Eoss（输出电容能量）：17nJ（典型值）
SI4276DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的 Rds(on)，在高电流应用中减少了传导损耗，提高了整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作，从而降低了开关损耗。
3. 强大的散热性能，通过优化的 TO-263 封装确保了更高的可靠性。
4. 支持宽范围的工作电压，使其兼容各种不同的电源系统。
5. 良好的电气耐受性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这款 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器，用于电压调节和电池管理。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率级应用。
5. 通信电源和 UPS 系统。
6. 各种消费类电子产品中的负载切换和保护功能。
SI4276DP, SI4277DY, IRF540N
