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TMCS40E2A224MTF 发布时间 时间:2025/9/10 2:19:35 查看 阅读:31

TMCS40E2A224MTF 是一款由 Vishay Siliconix 制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理和功率转换应用而设计。它采用先进的工艺技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和高电流承载能力。TMCS40E2A224MTF 采用 TSSOP 封装形式,适用于空间受限的应用场景,如笔记本电脑、服务器电源、DC-DC 转换器以及电机控制电路等。该器件具有良好的热稳定性和可靠性,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A(在 Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TSSOP

特性

TMCS40E2A224MTF 具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。
  首先,该器件具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值仅为 2.2mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,其高电流承载能力(连续漏极电流为 100A)使其能够胜任高功率密度的设计需求。
  其次,该 MOSFET 的耐压能力为 40V,能够承受较高的电压应力,适用于多种电源管理拓扑结构,如同步整流、Buck/Boost 转换器和电机驱动电路等。栅源电压容限为 ±20V,提高了器件在复杂工作环境中的稳定性。
  再次,该器件采用 TSSOP 封装,具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能,适用于空间受限的高密度 PCB 设计。封装设计也便于自动化装配,提升了制造效率。
  最后,TMCS40E2A224MTF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,表现出良好的热稳定性和环境适应能力,适合在严苛的工作条件下运行,如工业自动化设备、通信基础设施和汽车电子系统。

应用

TMCS40E2A224MTF 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。
  在电源管理系统中,该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,因其低导通电阻和高电流能力,可显著提升电源转换效率,降低发热损耗。
  在电机控制应用中,该器件可用于 H 桥驱动电路,提供高效的电机驱动能力,适用于电动工具、工业自动化设备和机器人控制系统。
  此外,该 MOSFET 还适用于电池管理系统(BMS),在电池充放电控制、过流保护和负载切换等环节发挥关键作用。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于新能源汽车、储能系统和可再生能源设备。
  在服务器和通信设备中,TMCS40E2A224MTF 常用于电源模块和热插拔电路中,确保系统在高负载条件下的稳定运行,同时支持快速响应和高效能输出。

替代型号

SiR178DP-T1-GE3, IRF6715TRPBF, FDS6680, TPSD404AN

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