时间：2025/7/16 17:07:56
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BSC023N08NS5SC 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和DC-DC转换应用。该器件采用先进的SGT（屏蔽栅极沟槽）技术，具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于服务器、通信设备以及工业控制系统等要求高可靠性和高效能的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：80V
漏极电流(Id)连续：140A（Tc=100℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值为2.3mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：典型值为60nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PG-TO263-3-1（表面贴装）
BSC023N08NS5SC 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件采用了屏蔽栅极沟槽技术（SGT），这种结构设计有效降低了米勒电容（Crss），从而提高了开关性能，减少了开关损耗。
另一个重要特性是其出色的热管理能力，得益于高效的芯片布局和优化的封装设计，使器件能够在高温环境下稳定运行。同时，BSC023N08NS5SC具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工况下的可靠性。
该MOSFET还具备较强的短路耐受能力，确保在异常工作状态下器件不易损坏，延长了使用寿命并提升了系统安全性。
BSC023N08NS5SC 主要用于需要高效能与高可靠性的电源系统中，如服务器电源、电信整流器、工业电机驱动、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及同步整流电路等。由于其优异的电气特性和热稳定性，也广泛应用于高功率密度电源模块及电动汽车（EV）相关电子系统中。
BSC023N08NS5AG、BSC019N08NS5SC、BSC026N08NS5SC
