时间：2025/6/17 18:34:29
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HH18N470J101CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）元器件，主要应用于功率转换、电源管理和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效提升电路效率并降低功耗。
其设计适合在高频工作环境下使用，同时具备良好的热稳定性和耐久性，是工业及消费类电子领域中常用的功率器件。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds：450V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：18A
导通电阻Rds(on)：0.18Ω
总功耗Ptot：360W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+150℃
HH18N470J101CT的核心特性在于其高效的功率处理能力和出色的电气性能。
1. 低导通电阻Rds(on)，有助于减少能量损耗，提升系统效率。
2. 高额定电压和大电流承载能力，使其能够适应多种复杂的电路环境。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，特别适用于高频应用。
4. 良好的热性能确保了长时间运行下的稳定性。
5. TO-247封装提供优秀的散热性能，便于安装和集成到各种功率模块中。
这款MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动器中的功率控制组件。
3. 工业自动化设备中的功率管理单元。
4. 新能源汽车和太阳能逆变器中的高效电能转换。
5. LED照明驱动电路中的关键元件。
IRFP460,
FDP18N45,
STP18NF45,
IXYS47N45L
