电容值：33μF
　　容差：±10%
　　额定电压：10V
　　封装类型：1210（3225公制）
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　最大高度：1.6mm
　　电介质材料：陶瓷

TMCRE1D336KTRF 多层陶瓷电容器的主要特性之一是其高稳定性和可靠性，这得益于其X5R温度系数电介质材料，能够在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持电容值的稳定。此外，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其非常适合用于高频率滤波和去耦应用。其表面贴装封装设计（1210或3225公制）使得安装简便且节省空间，适用于自动化生产流程。
　　该电容器的容差为±10%，允许在一定范围内变化而不影响电路性能。同时，其额定电压为10V，适用于多种低压电子设备中的电源管理与信号处理电路。由于采用了陶瓷材料作为电介质，TMCRE1D336KTRF 还具有优异的抗老化性能和较长的使用寿命。这些特性使得该电容器成为工业控制、消费电子、通信设备等领域中的理想选择。

TMCRE1D336KTRF 多层陶瓷电容器主要应用于需要高稳定性和可靠性的电子设备中。在工业控制领域，它可用于电源模块的输入和输出滤波，以确保稳定的电压供应并减少电磁干扰（EMI）。在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该电容器常用于去耦和旁路应用，以维持电路的稳定运行并提高信号完整性。此外，在通信设备中，TMCRE1D336KTRF 可用于射频（RF）电路中的滤波和耦合，确保高频信号的清晰传输。汽车电子系统中，例如车载娱乐系统和电池管理系统，该电容器也常用于电源去耦和噪声抑制。医疗电子设备中，其高稳定性和低失效率使其成为关键电路中的优选元件。

GRM32ER61C336KE15L, C3225X5R1E336M160AC