UPT2G151MHD是一款由优恩半导体(UNSEM)推出的高耐压、大电流肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD),专为高效率电源转换应用设计。该器件采用平面工艺技术制造,具有低正向导通压降(VF)和快速反向恢复特性,适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及续流与极性保护等电路中。UPT2G151MHD的封装形式为TO-277B(DPAK双引脚无铅贴片封装),具备良好的热性能和机械稳定性,适合自动化表面贴装工艺。该二极管的最大重复峰值反向电压(VRRM)为150V,最大平均整流电流(IO)可达2A,同时支持高达50A的非重复峰值浪涌电流(IFSM),展现出优异的瞬态负载适应能力。得益于其优化的结电容与寄生参数控制,UPT2G151MHD在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗,提升系统整体能效。此外,该产品符合RoHS环保标准,不含铅和卤素,满足现代绿色电子产品的设计要求。UPT2G151MHD广泛应用于工业电源、通信设备、消费类电子产品及新能源系统中,作为关键的功率整流元件发挥重要作用。
型号:UPT2G151MHD
器件类型:肖特基势垒二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):150V
最大平均整流电流(IO):2A
峰值浪涌电流(IFSM):50A
最大正向导通压降(VF):1.15V @ IF=2A, TJ=25°C
最大反向漏电流(IR):400μA @ VR=150V, TJ=25°C
反向恢复时间(trr):≤30ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-277B(DPAK)
安装方式:表面贴装(SMD)
引脚数:3(其中两个源极连接引脚)
散热特性:内置导热焊盘,支持PCB散热设计
UPT2G151MHD的核心优势在于其采用了先进的平面型肖特基势垒结构,实现了低正向压降与高反向耐压之间的良好平衡。在典型工作条件下,当正向电流达到2A时,其正向压降仅为1.15V左右,显著低于传统PN结二极管,有效降低了导通损耗,提高了电源系统的转换效率。尤其在低压大电流输出的同步整流替代方案中,该器件可减少对复杂控制电路的依赖,简化设计并降低成本。
该二极管具备出色的动态响应能力,反向恢复时间trr不超过30纳秒,在高频开关环境下表现出极小的反向恢复电荷(Qrr),从而大幅降低因开关动作引起的电磁干扰(EMI)和尖峰电压风险,提升了系统运行的稳定性和可靠性。这对于工作频率在数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器尤为重要。
在热管理方面,UPT2G151MHD采用TO-277B封装,该封装不仅体积紧凑,便于在高密度PCB布局中使用,还通过底部金属焊盘实现高效的热传导路径,允许热量快速传递至PCB铜层进行散热,确保器件在持续高负载工况下仍能维持安全的工作结温。结合其宽达-55°C至+150°C的工作结温范围,使其能够在严苛的工业环境或高温密闭空间内稳定运行。
此外,器件经过严格的老化测试和可靠性验证,具备良好的抗湿气、抗振动和抗热冲击性能,确保长期使用的稳定性。其无铅、无卤素的设计也符合国际环保法规要求,适用于出口型电子产品及对环保指标有严格要求的应用场景。总体而言,UPT2G151MHD是一款集高性能、高可靠性和环保特性于一体的现代化功率肖特基二极管。
UPT2G151MHD广泛应用于多种需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。在开关模式电源(SMPS)中,它常被用作次级侧整流元件,特别是在单端反激(Flyback)、正激(Forward)等拓扑结构中,承担输出整流任务,利用其低VF特性提高整体效率并减少散热需求。
在DC-DC降压或升压转换器中,该器件可用作续流二极管(Freewheeling Diode),在开关管关断期间为电感电流提供通路,防止电压反冲损坏主控芯片。由于其快速的反向恢复能力,能够有效抑制振铃现象,提升环路稳定性。
在太阳能光伏逆变器、LED驱动电源和适配器等消费类电源产品中,UPT2G151MHD凭借其高耐压和大电流能力,胜任输入端的防反接保护或桥式整流后的平滑滤波环节。
工业控制系统中的电机驱动模块、PLC电源单元以及通信基站的供电模块也大量采用此类高性能肖特基二极管,以保障长时间连续运行的可靠性。此外,在电池充电管理电路、UPS不间断电源和车载电子设备中,该器件可用于防止电流倒灌和实现电源路径切换功能。
得益于其表面贴装封装形式,UPT2G151MHD特别适合自动化生产线的大规模贴片焊接,提升了生产效率和产品一致性,是现代中小功率电源设计中不可或缺的关键元器件之一。
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"SBT2G150MCTF",
"MBR2H150TN3G",
"SS26",
"SK215",
"MUR260"
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