电容值：3.3μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V
　　介质材料：陶瓷（Class II，X5R）
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　绝缘电阻：1000MΩ min
　　温度系数：±15%
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　电介质稳定性：X5R

TMCMA1C335MTRV 多层陶瓷电容器具有出色的电性能和稳定性，适用于各种高要求的应用场景。其X5R介质材料提供了良好的温度稳定性，确保电容值在-55°C至+85°C的温度范围内变化不超过±15%。该电容器具有较高的电容密度，能够在相对较小的封装尺寸下提供较大的电容量，适合用于空间受限的电路设计。
　　该器件采用表面贴装封装，具有良好的机械强度和焊接性能，能够承受自动化贴片工艺的高温回流焊过程。此外，TMCMA1C335MTRV 具有低ESR（等效串联电阻）特性，有助于减少电源噪声和提高电路稳定性，特别适用于电源去耦和滤波电路。
　　由于其高可靠性和稳定性，TMCMA1C335MTRV 被广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、FPGA/CPU去耦、信号处理电路、消费类电子产品和工业控制设备中。

TMCMA1C335MTRV 多层陶瓷电容器主要应用于需要高电容值和良好稳定性的电子电路中。其常见的应用包括电源去耦电路，用于减少电源噪声和提高系统稳定性；在DC-DC转换器中作为输入和输出滤波电容，平滑电压波动；在FPGA、微处理器和其他高速数字电路中作为去耦电容，提供瞬态电流支持；在模拟电路中用于信号滤波和耦合；此外，该电容器也可用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能穿戴设备中。

GRM31CR61C335KA121KA, C2012X5R1C335KT000N, C3216X5R1C335K160AC