AP2004N是一款由Anpec Electronics Corporation制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高电流开关应用中。AP2004N采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,能够在高温环境下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):160A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):3.2mΩ(典型值,Vgs=10V时)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
AP2004N的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其3.2mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现优异,适用于高电流应用场景。
该MOSFET具有高耐压能力,漏源电压最大可达30V,适用于多种中低压电源管理应用。同时,AP2004N支持高达160A的连续漏极电流,在高功率密度设计中表现出色。
器件采用TO-263(D2PAK)封装,具有良好的热管理和散热性能,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产和高效散热设计。
此外,AP2004N具有宽泛的栅极电压容忍范围(±20V),增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其高可靠性设计确保在高温和高负载条件下依然稳定运行,适用于工业、汽车、通信等严苛环境。
AP2004N广泛应用于各类电源管理系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、马达控制器、电源分配系统以及高电流开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源设计的理想选择,尤其适用于需要高功率密度和高可靠性的场合,如服务器电源、电信设备、电动车控制系统和工业自动化设备。
AP2004N的替代型号包括IRF1604Z、SiSS160DN、PSMN160R03AL、IPB160R03LC。这些型号在性能、封装和应用领域上与AP2004N具有较高兼容性,但使用前建议根据具体电路需求进行详细匹配验证。