类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

AP2004N的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其3.2mΩ的Rds(on)在Vgs=10V时表现优异，适用于高电流应用场景。
　　该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压最大可达30V，适用于多种中低压电源管理应用。同时，AP2004N支持高达160A的连续漏极电流，在高功率密度设计中表现出色。
　　器件采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高效散热设计。
　　此外，AP2004N具有宽泛的栅极电压容忍范围（±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其高可靠性设计确保在高温和高负载条件下依然稳定运行，适用于工业、汽车、通信等严苛环境。

AP2004N广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达控制器、电源分配系统以及高电流开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源设计的理想选择，尤其适用于需要高功率密度和高可靠性的场合，如服务器电源、电信设备、电动车控制系统和工业自动化设备。

AP2004N的替代型号包括IRF1604Z、SiSS160DN、PSMN160R03AL、IPB160R03LC。这些型号在性能、封装和应用领域上与AP2004N具有较高兼容性，但使用前建议根据具体电路需求进行详细匹配验证。