容量：33pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装类型：贴片（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ 或容量的10,000Ω·μF
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%
　　温度系数：0±30ppm/°C

TMCHC0G336MTRF 是一款高性能的多层陶瓷电容器，采用了 TDK 的先进陶瓷介质和电极技术，具有优异的电气性能和稳定性。C0G（NP0）介质材料提供了极低的温度系数（通常为0±30ppm/°C），确保在不同温度下电容值的变化极小，适用于高精度定时、滤波和耦合电路。
　　该电容器的容差为 ±5%，具备较高的精度，适合用于 RF 和模拟电路中的关键位置。其额定电压为 50V，可满足大多数中低压应用的需求。封装形式为贴片（SMD），便于自动化贴装和节省 PCB 空间。
　　此外，TMCHC0G336MTRF 具有良好的频率响应特性，适合高频应用。由于 C0G 材料的非线性特性较小，电容值不会随着电压变化而显著波动，因此在电压变化较大的环境中也能保持稳定的性能。
　　该电容器符合 RoHS 指令，适用于无铅工艺和环保要求较高的电子设备。

TMCHC0G336MTRF 适用于多种电子设备和电路设计，包括但不限于：射频（RF）电路中的耦合、滤波和调谐；精密模拟电路中的反馈和滤波元件；高稳定性振荡器和定时电路；高速数字电路中的去耦和旁路；通信设备、工业控制设备、测试仪器和消费类电子产品。

C0G/NP0 系列的替代型号包括：Murata 的 GRM188R71H333KA01D、Kemet 的 C0805C330J5GACTU、Vishay 的 VJ0805Y330JBEAC、AVX 的 08055D330JAT2A 等。这些型号在电气性能、封装尺寸和应用领域方面与 TMCHC0G336MTRF 类似，可根据具体需求进行选型替换。