时间：2025/6/4 8:41:00
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OSG60R092H 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高频开关应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升电源转换效率。
这款器件广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动等领域，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
型号：OSG60R092H
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：92A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，25°C）
栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
开关时间：ton=13ns，toff=18ns（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
OSG60R092H 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合于高效率开关电源设计。
3. 高电流承载能力，使其能够胜任大功率应用。
4. 强大的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使 OSG60R092H 成为需要高性能功率管理解决方案的理想选择。
OSG60R092H 的典型应用场景包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动车辆和工业电机驱动中的逆变器模块。
3. 太阳能微逆变器和能量存储系统的功率转换。
4. 电信和服务器电源中的同步整流。
5. 各类 DC-DC 转换器及负载点（POL）转换。
其优异的性能和可靠性使得它在多个行业中都有广泛应用。
OSG60R100H
IRFZ44N
STP90NF06L
