OSG60R092H 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高频开关应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升电源转换效率。
这款器件广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动等领域,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
型号:OSG60R092H
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):92A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,25°C)
栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
开关时间:ton=13ns,toff=18ns(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
OSG60R092H 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合于高效率开关电源设计。
3. 高电流承载能力,使其能够胜任大功率应用。
4. 强大的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
这些特点使 OSG60R092H 成为需要高性能功率管理解决方案的理想选择。
OSG60R092H 的典型应用场景包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动车辆和工业电机驱动中的逆变器模块。
3. 太阳能微逆变器和能量存储系统的功率转换。
4. 电信和服务器电源中的同步整流。
5. 各类 DC-DC 转换器及负载点(POL)转换。
其优异的性能和可靠性使得它在多个行业中都有广泛应用。
OSG60R100H
IRFZ44N
STP90NF06L