电容值：3.3μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：高介电常数陶瓷（Class II）
　　绝缘电阻：10,000MΩ min.
　　最大纹波电流：根据具体应用环境而定

TMCHA0G335MTRF 电容器的核心特性之一是其采用X5R型陶瓷介质，这种材料在宽温度范围内（-55°C至+85°C）保持电容值的稳定性，其电容随温度变化率在±15%以内。此外，该电容器的封装尺寸为1210，符合行业标准，便于表面贴装技术（SMT）生产流程，有助于提升生产效率和装配精度。由于其高容量和小型化设计，该器件能够在有限的空间内提供出色的性能，特别适合需要紧凑布局的电路设计。
　　另一个重要特性是其优异的高频性能。由于MLCC的结构设计，TMCHA0G335MTRF在高频应用中表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而能够有效滤除高频噪声并稳定电源电压。这使得它非常适合用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRMs）以及去耦和旁路应用。
　　此外，该电容器具有良好的耐久性和长期稳定性，TDK在制造过程中采用了高可靠性的工艺技术，确保其在各种严苛环境下都能保持稳定的工作性能。

TMCHA0G335MTRF 主要应用于需要高容量和小型化设计的电子设备中。常见的应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）、电源管理系统、DC-DC转换器、稳压器、LED驱动电路以及汽车电子系统。在汽车电子应用中，该电容器可以用于车载娱乐系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块等对可靠性和稳定性要求较高的场合。
　　在工业自动化设备中，该电容器也常用于PLC控制器、传感器模块和电机驱动电路中的电源去耦和信号滤波。此外，由于其优异的高频特性，TMCHA0G335MTRF 也广泛用于射频（RF）电路和高速数字电路中，作为去耦电容以降低电源噪声和提高信号完整性。

C3225X5R1C335M160AC, GRM31CR61C335KA12L