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TMC3KJ-B1K-TR/D 发布时间 时间:2025/8/17 9:52:05 查看 阅读:4

TMC3KJ-B1K-TR/D 是一款由Toshiba(东芝)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路。该芯片专为高边和低边功率MOSFET的驱动设计,广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等电路中。该器件采用先进的BiCD工艺制造,具备高驱动能力、低静态电流和强大的保护功能,适用于各种高效率、高可靠性的功率电子系统。

参数

类型:MOSFET驱动器
  拓扑结构:高边/低边双通道驱动器
  电源电压范围:4.5V 至 20V
  输出电流:1A(典型值)
  驱动能力:±1A(峰值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOP-8
  保护功能:欠压锁定(UVLO)、过热保护(OTP)
  输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
  传播延迟:典型值100ns
  上升/下降时间:典型值50ns
  

特性

TMC3KJ-B1K-TR/D 具备多项先进特性,确保其在复杂功率应用中的稳定性和可靠性。
  首先,该芯片采用双通道架构,可同时驱动高边和低边MOSFET,支持同步整流拓扑结构,从而提高电源转换效率。
  其次,其宽电源电压范围(4.5V至20V)使其适用于多种电源系统,包括12V、15V和18V的电源轨。输入逻辑兼容TTL和CMOS电平,便于与数字控制器接口连接。
  驱动能力方面,该芯片可提供高达±1A的峰值输出电流,确保MOSFET快速开通和关断,降低开关损耗。同时,其内部集成的欠压锁定(UVLO)功能可防止MOSFET在电源电压不足时误动作,从而保护系统免受损坏。
  此外,TMC3KJ-B1K-TR/D内置过热保护(OTP)功能,在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出,防止热失控,延长器件使用寿命。
  该芯片的封装形式为SOP-8,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。其低静态电流设计也有助于降低系统功耗,提高能效。
  整体而言,TMC3KJ-B1K-TR/D是一款高性能、高集成度的MOSFET驱动器,适用于多种功率转换和电机控制应用,具备良好的稳定性和抗干扰能力。

应用

TMC3KJ-B1K-TR/D 主要应用于需要高效驱动MOSFET的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 同步整流DC-DC转换器,如Buck、Boost和Buck-Boost电路,用于提高能量转换效率。
  2. 电机驱动和H桥控制电路,用于机器人、工业自动化和电动车系统。
  3. 电源管理系统,如电池充电器、负载开关和电源分配单元。
  4. 工业控制设备,如PLC、继电器驱动器和智能传感器模块。
  5. 消费类电子产品中的功率开关和电源管理单元,如笔记本电脑适配器和智能电源插座。
  由于其高可靠性、集成保护功能和宽电压范围,TMC3KJ-B1K-TR/D适用于各种对稳定性和效率要求较高的电子系统。

替代型号

TC4420, IR2104, Si8235, NCP8107, MIC502

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