类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：500mA
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大耗散功率（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

MRF449A是一款专为射频应用设计的MOSFET晶体管，具有出色的高频性能。其N沟道增强型结构提供了良好的线性度和增益特性，使其非常适合用于射频信号放大。该器件的工作频率范围覆盖HF至UHF波段，能够满足多种通信系统的需求。此外，MRF449A具备较高的输入阻抗，有助于减少对前级电路的负载影响，同时提供较低的输出阻抗，以提高后级驱动能力。
　　在电气性能方面，MRF449A的最大漏源电压为30V，最大栅源电压为±20V，允许在较宽的电源范围内使用。其最大漏极电流为500mA，能够在较低的功耗下实现高效的信号放大。器件的最大耗散功率为1.25W，在连续工作状态下具备良好的稳定性。MRF449A的TO-220封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装和集成到各种电路板中。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于严苛环境条件下的应用。MRF449A具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在工业、通信和测试设备等高要求场景中可靠运行。

MRF449A广泛应用于射频通信系统、信号放大器、测试仪器和高频电路设计中。它特别适用于HF至UHF频段的射频放大器设计，如业余无线电设备、通信基站和信号发生器等。由于其高频性能优越，MRF449A也常用于天线前置放大器和低噪声放大器的设计。此外，该晶体管还可用于模拟开关、振荡器和调制解调电路等高频电子系统中。在工业控制和自动化系统中，MRF449A也被用于实现高频信号的处理和传输。

BFQ68, BFQ67, BFQ69