时间：2025/12/25 9:52:23
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MMZ1608A152ETA00是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的表面贴装型多层片式铁氧体磁珠，专为抑制高频噪声而设计。该器件属于MMZ系列，广泛应用于便携式电子设备和高密度电路板中，用于电源线、信号线的电磁干扰（EMI）滤波。其小型化封装尺寸为1608（即1.6mm x 0.8mm），符合现代电子产品对微型化和高集成度的需求。该磁珠通过在特定频率范围内提供高阻抗，有效吸收并衰减高频噪声，从而提升系统的电磁兼容性（EMC）。
MMZ1608A152ETA00的标称阻抗为1500Ω（152表示15×102=1500Ω）在100MHz测试条件下测得，同时具有较低的直流电阻（DCR），确保对正常工作电流的影响最小。其内部采用镍锌（NiZn）铁氧体材料，具备良好的高频特性，适用于数百MHz至数GHz频段的噪声抑制。该器件无极性，使用方便，可适用于自动贴片工艺，适合大规模生产应用。
型号：MMZ1608A152ETA00
制造商：Murata
封装尺寸：1608（1.6 x 0.8 x 0.8 mm）
阻抗 @ 100MHz：1500 Ω
额定电流：50 mA
直流电阻（DCR）：4.5 Ω 最大
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
特性阻抗频率：100 MHz
产品类型：表面贴装磁珠
材料体系：NiZn 铁氧体
MMZ1608A152ETA00磁珠的核心特性在于其优异的高频噪声抑制能力。在100MHz时呈现1500Ω的高阻抗，能够有效衰减射频干扰和开关噪声，尤其适用于高速数字电路、射频模块和电源管理线路中的EMI滤波。其内部结构采用多层陶瓷共烧技术，将导电螺旋电极嵌入高磁导率的NiZn铁氧体介质中，形成一个频率依赖的阻抗元件。随着频率升高，感抗和磁芯损耗共同作用，使整体阻抗迅速上升，实现对高频噪声的能量吸收与转化（以热能形式耗散），而非简单反射，避免了二次干扰问题。
该器件具备良好的温度稳定性和长期可靠性，在-55°C至+125°C宽温范围内性能变化小，适合工业级和消费类电子应用。低直流电阻（最大4.5Ω）确保在通过工作电流时压降低、功耗小，不会显著影响电源效率或信号完整性。此外，其小型1608封装支持高密度PCB布局，并兼容标准回流焊工艺，便于自动化生产。器件还具有较高的耐湿性和机械强度，符合RoHS和REACH环保要求，适用于智能手机、平板电脑、无线通信模块、LCD驱动器、USB接口保护等场景下的噪声抑制需求。
MMZ1608A152ETA00广泛应用于各类需要高频噪声滤波的电子系统中。典型应用场景包括便携式移动设备的电源线路滤波，如为基带处理器、射频收发器、Wi-Fi/BT模块供电的LDO输出端，用以抑制开关电源引入的纹波和谐波干扰。在高速信号线上，如USB数据线、HDMI差分对、摄像头模组接口等位置，该磁珠可用于消除串扰和辐射发射，提高信号质量与系统稳定性。
此外，在LCD背光驱动电路或音频信号路径中，该器件可防止高频噪声耦合到敏感模拟电路，改善显示效果和音质表现。在物联网设备、可穿戴电子产品中，由于空间限制严格且电磁环境复杂，MMZ1608A152ETA00凭借其小尺寸和高效滤波能力成为理想的EMI解决方案。它也常用于FPGA、MCU的I/O引脚去噪，以及传感器信号调理电路前端，保障测量精度。总之，凡是有高频噪声需要局部抑制的场合，该磁珠都能发挥重要作用。
BLM18AG152SN1D
DLW21HN152XK2
