TMA 1512D 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率应用,如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于各种高效率电源系统的设计。TMA 1512D 采用表面贴装封装(如SOP或DFN封装),适合自动化装配流程,并提供良好的散热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):12A
漏极-源极电压(VDS):30V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大12mΩ(典型值可能为7.5mΩ)
功率耗散(PD):3.6W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOP8 或 DFN5x6
TMA 1512D 的主要特性包括其低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其12A的漏极电流能力使其适用于中高功率应用,如笔记本电脑电源、DC-DC转换器和电池管理系统。器件支持±20V的栅极电压,具备良好的栅极保护能力,能够承受较高的驱动电压而不损坏。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该器件采用SOP8或DFN5x6封装,具备良好的散热性能,适合在空间受限的设计中使用。DFN封装尤其适合需要高效散热和小型化设计的应用。TMA 1512D 还具有快速开关特性,减少开关损耗,提高整体效率。其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)使其适合高频开关应用。
在可靠性方面,TMA 1512D 设计用于工业级温度范围(-55°C 至 150°C),确保在各种环境条件下稳定工作。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性,适用于需要高稳定性和耐用性的系统。
TMA 1512D 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池保护电路、负载开关和工业自动化设备等。由于其低导通电阻和高电流能力,它非常适合用于需要高效率和紧凑设计的电源模块。在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中,TMA 1512D 可用于电源管理单元(PMU)中的开关元件。
此外,该MOSFET还可用于LED照明驱动电路、充电器和电源适配器设计中。其快速开关特性使其适用于PWM(脉宽调制)控制的电源应用。在汽车电子系统中,如车载充电器或DC-DC转换器中,TMA 1512D 也可提供可靠的功率开关性能。由于其良好的热管理特性,该器件在高温环境下依然能保持稳定运行。
Si4410BDY-T1-GE3
IRF7413PBF
NVTFS5C471NLWTAG