品牌：Intel（现归属SK海力士）
　　产品系列：StrataFlash? Architecture
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit（16 MB）
　　组织结构：8M x16 / 16M x8
　　工艺技术：MirrorBit?
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：70ns / 90ns（根据不同速度等级）
　　封装类型：64-pin TSOP Type I 或 FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　接口类型：并行异步接口
　　写保护功能：支持硬件WP#引脚和软件锁定位
　　擦除寿命：100,000次典型值
　　数据保持时间：20年典型值

JS28F128P采用Intel独有的MirrorBit?技术，这项创新的存储单元设计通过在氮化物层中存储两个独立的电荷区域来实现每个存储单元存放两个数据位的能力，显著提高了存储密度并降低了每比特成本。与传统浮栅NOR Flash相比，MirrorBit结构具有更好的电荷保持能力和抗干扰性能，同时减少了单元间的耦合效应，提升了整体可靠性。该器件支持灵活的扇区架构，通常将128Mb空间划分为多个可独立擦除的块（如64个2KB的小扇区和31个64KB的大扇区），允许精细粒度的数据管理与保护，特别适用于需要频繁更新配置参数或固件部分区域的应用场景。
　　在性能方面，JS28F128P提供快速的读取响应时间（最低70ns），使得CPU可以直接从Flash中执行代码而无需先加载到RAM，极大节省了系统资源并加快了启动速度。其内置的地址和数据锁存机制支持高效的总线复用设计，兼容多种微处理器和控制器的接口时序要求。为了增强数据安全性，芯片集成软件数据保护（SDP）算法，能够自动检测非法写入操作并拒绝执行，防止病毒或意外指令导致关键代码被破坏。此外，JS28F128P支持VCCQ电源引脚，可实现I/O电压与核心电压分离，便于与1.8V或3.3V逻辑系统接口匹配，提升系统互操作性。
　　该器件还具备强大的环境适应能力，符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），能在严苛的电磁干扰和温度变化条件下稳定运行。其擦除和编程操作由片上状态机自动控制，用户只需发送标准命令序列即可完成操作，并可通过查询Data# Polling或RY/BY#引脚获取操作状态。JS28F128P支持多种省电模式，包括待机模式和深度睡眠模式，有效降低静态功耗，延长便携式设备的电池寿命。所有操作均符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。

JS28F128P因其高可靠性、快速读取和良好的环境适应性，被广泛应用于多个对稳定性要求极高的领域。在通信设备中，它常用于路由器、交换机和基站模块中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和远程固件升级。工业控制系统如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器也依赖该芯片来保存控制逻辑和参数设置，确保在断电后仍能可靠恢复运行状态。
　　在汽车电子领域，JS28F128P可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载信息娱乐系统（IVI），用于存储固件代码和校准数据，其宽温特性和抗干扰能力满足AEC-Q100可靠性标准的部分要求。医疗设备如监护仪、超声成像系统和便携式诊断工具同样采用此类NOR Flash来保障关键程序的持久性和安全性。
　　此外，在测试测量仪器、POS终端、安防监控设备以及军用嵌入式系统中，JS28F128P凭借其XIP能力、扇区保护机制和长生命周期支持，成为理想的非易失性存储解决方案。随着物联网边缘节点对本地代码执行效率的要求提高，该类并行NOR Flash仍在特定高性能嵌入式场景中占据不可替代的地位。

MT28EW128ABA1LPC-0SIT
　　M29W128GL70ZA6E
　　S29GL128P_01