时间：2025/9/29 20:18:55
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TM90DZ-H是一款由无锡华润微电子有限公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等高效率、高频率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽型场效应晶体管技术，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。作为一款中低压功率MOSFET，TM90DZ-H在消费类电子产品、工业控制设备及绿色能源解决方案中表现出色。其封装形式通常为TO-252（D-Pak），便于安装于印刷电路板上，并支持表面贴装工艺，有助于提升生产自动化水平和产品可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对环境友好性的要求。TM90DZ-H的设计注重安全工作区（SOA）的优化，在瞬态负载或短路条件下仍能保持良好的耐受能力，提高了系统的整体稳健性。
型号：TM90DZ-H
制造商：华润微电子
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：90V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：75A @ TC=25°C
脉冲漏极电流(IDM)：300A
导通电阻(RDS(on))：12mΩ @ VGS=10V, ID=30A
阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss)：4800pF @ VDS=50V
输出电容(Coss)：1200pF @ VDS=50V
反向恢复时间(trr)：35ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252(D-Pak)
TM90DZ-H具备优异的导通性能与开关特性，其核心优势之一是超低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为12mΩ（测试条件为VGS=10V，ID=30A），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提升了整个系统的能效表现。尤其在大电流应用场景下，如DC-DC转换器、同步整流电路和电池管理系统中，这种低RDS(on)特性可有效减少发热，延长系统寿命并降低散热设计复杂度。
该器件采用了优化的沟槽栅结构设计，不仅增强了载流子迁移率，还改善了栅极电荷特性，使得Qg（总栅极电荷）较低，有利于实现高速开关操作。同时，输入电容Ciss和输出电容Coss分别控制在4800pF和1200pF左右（测试条件为VDS=50V），保证了在高频开关应用中的动态响应能力和稳定性。此外，其反向恢复时间trr仅为35ns，配合体二极管的快速恢复能力，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合用于硬开关拓扑结构，例如Buck、Boost和半桥变换器。
从可靠性角度来看，TM90DZ-H经过严格的质量控制流程制造，具备出色的抗雪崩能力和热循环耐久性。其最大漏源电压额定值为90V，允许在瞬时过压情况下仍能安全运行，避免因电压尖峰导致的器件击穿。工作结温范围覆盖-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境，包括高温工业现场和低温户外设备。TO-252封装提供了良好的热传导路径，通过PCB铜箔即可实现有效散热，无需额外添加复杂的散热装置，有助于缩小整体体积并降低成本。综上所述，TM90DZ-H凭借其高性能参数、稳定可靠的表现以及环保合规性，成为众多中功率电力电子设计中的理想选择。
TM90DZ-H主要应用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、LED照明驱动电源、通信电源模块以及便携式充电设备等。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于同步整流电路，在提高转换效率的同时降低温升，满足能源之星等能效认证的要求。
在电机驱动领域，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）控制器或步进电机驱动电路中，作为主开关元件实现精确的相位切换控制。由于其具备快速开关响应和较强的抗冲击电流能力，能够有效应对电机启动瞬间的大电流冲击，保障系统稳定运行。
此外，TM90DZ-H也常见于电池供电系统，如电动工具、无人机和电动自行车的电池保护板与充放电管理模块中。在此类应用中，它常被用作充放电通路的主控开关，利用其低损耗特性最大限度地延长电池续航时间，并通过内置保护机制防止过流、短路等情况的发生。
在工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于继电器替代方案、固态开关或负载开关电路，实现无触点控制，提高响应速度和使用寿命。同时，得益于其良好的热稳定性和封装兼容性，TM90DZ-H也可集成于多芯片模组或功率模块中，服务于更复杂的电力电子架构。总之，凭借宽泛的应用适应性和卓越的技术指标，TM90DZ-H已成为现代高效能电源与功率控制系统中的关键组件之一。
SM90DZ-H, FM90DZ-H
