型号：TM90DZ-H
　　制造商：华润微电子
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：90V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：75A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：300A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：4800pF @ VDS=50V
　　输出电容(Coss)：1200pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252(D-Pak)

TM90DZ-H具备优异的导通性能与开关特性，其核心优势之一是超低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为12mΩ（测试条件为VGS=10V，ID=30A），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提升了整个系统的能效表现。尤其在大电流应用场景下，如DC-DC转换器、同步整流电路和电池管理系统中，这种低RDS(on)特性可有效减少发热，延长系统寿命并降低散热设计复杂度。
　　该器件采用了优化的沟槽栅结构设计，不仅增强了载流子迁移率，还改善了栅极电荷特性，使得Qg（总栅极电荷）较低，有利于实现高速开关操作。同时，输入电容Ciss和输出电容Coss分别控制在4800pF和1200pF左右（测试条件为VDS=50V），保证了在高频开关应用中的动态响应能力和稳定性。此外，其反向恢复时间trr仅为35ns，配合体二极管的快速恢复能力，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合用于硬开关拓扑结构，例如Buck、Boost和半桥变换器。
　　从可靠性角度来看，TM90DZ-H经过严格的质量控制流程制造，具备出色的抗雪崩能力和热循环耐久性。其最大漏源电压额定值为90V，允许在瞬时过压情况下仍能安全运行，避免因电压尖峰导致的器件击穿。工作结温范围覆盖-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境，包括高温工业现场和低温户外设备。TO-252封装提供了良好的热传导路径，通过PCB铜箔即可实现有效散热，无需额外添加复杂的散热装置，有助于缩小整体体积并降低成本。综上所述，TM90DZ-H凭借其高性能参数、稳定可靠的表现以及环保合规性，成为众多中功率电力电子设计中的理想选择。

TM90DZ-H主要应用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、LED照明驱动电源、通信电源模块以及便携式充电设备等。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于同步整流电路，在提高转换效率的同时降低温升，满足能源之星等能效认证的要求。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）控制器或步进电机驱动电路中，作为主开关元件实现精确的相位切换控制。由于其具备快速开关响应和较强的抗冲击电流能力，能够有效应对电机启动瞬间的大电流冲击，保障系统稳定运行。
　　此外，TM90DZ-H也常见于电池供电系统，如电动工具、无人机和电动自行车的电池保护板与充放电管理模块中。在此类应用中，它常被用作充放电通路的主控开关，利用其低损耗特性最大限度地延长电池续航时间，并通过内置保护机制防止过流、短路等情况的发生。
　　在工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于继电器替代方案、固态开关或负载开关电路，实现无触点控制，提高响应速度和使用寿命。同时，得益于其良好的热稳定性和封装兼容性，TM90DZ-H也可集成于多芯片模组或功率模块中，服务于更复杂的电力电子架构。总之，凭借宽泛的应用适应性和卓越的技术指标，TM90DZ-H已成为现代高效能电源与功率控制系统中的关键组件之一。

SM90DZ-H, FM90DZ-H