型号：TM3400N/FN
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（@VGS=10V, ID=8A）
　　导通电阻（RDS(on)）：14mΩ（@VGS=4.5V, ID=8A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：2080pF（@VDS=20V）
　　输出电容（Coss）：680pF（@VDS=20V）
　　反向传输电容（Crss）：90pF（@VDS=20V）
　　栅极电荷（Qg）：37nC（@VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8（Power SOP）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

TM3400N/FN采用了东芝专有的先进沟槽结构技术，这种设计显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在高电流条件下实现更低的传导损耗。其典型RDS(on)仅为10.5mΩ（在VGS=10V时），使得器件在大电流负载下仍能保持优异的能效表现，特别适用于需要长时间持续运行的电源系统。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=37nC）和米勒电容（Crss=90pF），有助于减少开关过程中的驱动损耗和延迟，提高在高频开关应用中的响应速度和整体效率。
　　该器件的输入、输出及反向传输电容经过优化，在高频DC-DC转换器中表现出良好的动态响应能力，能够有效抑制电磁干扰（EMI）并提升系统的稳定性。其体二极管具备较短的反向恢复时间（trr=35ns），可降低在同步整流或感性负载切换过程中产生的尖峰电压和能量损耗，进一步增强系统可靠性。SOP-8 Power Package封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还通过外露散热焊盘增强了热传导能力，使芯片结温更易控制，提升了长期工作的安全性。
　　TM3400N/FN的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境和高温运行条件。同时，器件具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态过载或电压突变情况下维持稳定工作。其栅源电压额定值为±20V，提供了足够的驱动裕度，兼容常见的逻辑电平驱动电路（如3.3V或5V MCU输出）。此外，该MOSFET符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求（视具体批次而定），可用于部分车载电子系统中。综合来看，TM3400N/FN凭借低导通电阻、优良的开关特性和稳健的封装设计，成为中等功率密度电源应用中的高性能解决方案。

TM3400N/FN广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在对效率和空间布局有较高要求的设计中表现突出。常见应用场景包括同步降压（Buck）转换器，用于将较高的直流电压（如12V或24V）高效地转换为5V、3.3V或更低电压，以供给微处理器、FPGA、ASIC等核心数字电路使用。由于其低RDS(on)和快速开关特性，该器件在轻载和满载条件下均能维持高转换效率，减少发热问题，延长设备使用寿命。
　　在DC-DC模块电源中，TM3400N/FN常被用作主开关管或同步整流管，配合控制器IC实现稳定的电压输出。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，适用于批量制造的通信模块、嵌入式工控主板及智能家电控制板。此外，该MOSFET也适用于电池供电设备中的电源管理单元，例如便携式仪器、电动工具和无人机电源系统，能够在有限的空间内提供可靠的电力切换能力。
　　在电机驱动领域，TM3400N/FN可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动小型直流电机或步进电机，广泛见于打印机、扫描仪、风扇调速和自动门控系统。其快速开关响应和低导通损耗有助于实现精确的速度控制和节能运行。同时，该器件也可作为电子负载开关或热插拔电路中的通断控制元件，提供过流保护和软启动功能。
　　在LED照明驱动方案中，TM3400N/FN可用于恒流源拓扑中的开关调节部分，特别是在PWM调光控制中发挥关键作用。其稳定的电气参数和良好的温度特性确保了光照输出的一致性和长期可靠性。此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关产品中，作为核心功率开关元件之一。

TK040N04K,TMN20N04K,Si2301DS,FDMS7680