TM25CZ-2H 时间：2025/9/29 17:41:26 阅读：6

TM25CZ-2H是一款由Techmore（天莫）半导体推出的串行NOR Flash存储器芯片，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及嵌入式系统中。该器件采用高密度CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗特性，适用于需要可靠非易失性存储的场合。TM25CZ-2H支持标准的SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，兼容主流微控制器接口，便于系统集成。其封装形式通常为SOP8或WSOP8，体积小巧，适合空间受限的应用场景。
　　该芯片内部存储容量为2Mb（即256K × 8位），组织为32个扇区（每扇区4KB）和剩余的大块区域，支持按扇区或整片擦除操作，并具备快速编程能力。TM25CZ-2H还集成了多种保护机制，包括软件写保护、状态寄存器锁定以及上电/掉电时自动写保护功能，有效防止因意外操作或电源波动导致的数据损坏。此外，该器件支持宽电压工作范围，可在2.7V至3.6V之间稳定运行，适应多种供电环境。

参数

型号：TM25CZ-2H
　　类型：串行NOR Flash
　　容量：2Mbit (256K × 8)
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　接口类型：SPI（支持模式0和3）
　　时钟频率：最高支持104MHz
　　读取电流：典型值8mA（在104MHz下）
　　待机电流：典型值1μA
　　封装形式：SOP8 / WSOP8
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写使能/禁止：支持通过指令控制
　　擦除时间：批量擦除典型时间2秒，扇区擦除典型时间30ms
　　编程时间：页编程典型时间0.8ms
　　状态寄存器：支持读取忙状态、写使能锁存、块保护等位
　　可靠性：擦写次数可达10万次，数据保持时间超过20年

特性

TM25CZ-2H具备卓越的读写性能与稳定性，其核心特性之一是支持高速连续读取模式，在双I/O或Quad I/O模式下可显著提升数据吞吐率，满足实时性要求较高的应用场景。芯片内置先进的电荷泵电路，确保在全电压范围内实现稳定的编程与擦除操作，避免因电压波动引起的操作失败。其SPI接口完全兼容JEDEC标准指令集，支持多种常用命令如READ、FAST_READ、PP（Page Program）、SE（Sector Erase）、BE（Bulk Erase）、WREN、WRDI、RDSR、WRSR等，便于开发者进行底层驱动开发与调试。
　　另一重要特性是灵活的硬件与软件保护机制。用户可通过设置状态寄存器中的BP0、BP1、BP2位来选择不同的保护区域范围，实现对关键代码或配置数据的写保护，防止误修改。同时支持临时的写使能/禁止控制，增强了系统的安全性。此外，该芯片具备良好的抗干扰能力，在电磁环境复杂的工业现场仍能保持稳定工作。TM25CZ-2H还支持节能模式，在待机状态下自动进入低功耗模式，有助于延长电池供电设备的工作时间。所有制造过程均符合RoHS环保要求，且通过了严格的可靠性测试，包括高温存储、温循试验、高压蒸煮等，确保产品在各种严苛环境下长期可靠运行。

应用

TM25CZ-2H广泛用于需要小容量非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括家用电器控制板，用于存储固件程序和用户设置参数；工业自动化设备中的PLC模块、传感器节点，用以保存校准数据和运行日志；网络通信设备如路由器、交换机的Boot Code存储；智能仪表（如电表、水表）中记录历史数据和配置信息；以及各类消费类电子产品如智能门锁、蓝牙耳机、可穿戴设备等。
　　在物联网（IoT）领域，该芯片常作为MCU外挂Flash，用于存放Wi-Fi/BLE模组的固件、网页资源或OTA升级包。由于其支持快速读取和低功耗特性，也适用于便携式医疗设备、电子标签和POS终端等对功耗和响应速度有较高要求的场景。此外，TM25CZ-2H还可用于FPGA配置存储，实现上电自动加载逻辑程序。其高可靠性和宽温工作能力使其能在恶劣环境中长期服役，是中小容量代码和数据存储的理想选择。