60N3LH5 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220、D2PAK等
导通电阻(Rds(on)):最大值2.8mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):160W
60N3LH5 MOSFET具有多项优异的电气和热性能,能够满足高功率密度和高效率的设计需求。
首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流应用中最小的功率损耗,从而提高了整体系统效率。该器件的Rds(on)典型值为2.8mΩ,在Vgs=10V时可支持高达60A的连续漏极电流。
其次,该MOSFET具备高耐压特性,漏源电压(Vds)额定为100V,栅源电压(Vgs)为±20V,能够在高压环境中稳定工作。此外,其热阻较低,确保在高功率应用中具备良好的散热性能,避免因过热而导致的器件损坏或性能下降。
60N3LH5采用TO-220和D2PAK等常见封装形式,便于安装和散热管理,适用于各种工业和汽车电子系统。该器件的封装设计也支持表面贴装(SMD)工艺,提高生产效率和可靠性。
在可靠性方面,60N3LH5具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行,减少因电压尖峰引起的故障风险。同时,其栅极氧化层具有良好的耐用性,提升了器件的长期稳定性和使用寿命。
60N3LH5 MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中,包括但不限于:
1. **电源管理**:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池管理系统,其低Rds(on)和高耐压特性有助于提高电源转换效率。
2. **电机控制**:用于工业电机驱动器、无刷直流电机(BLDC)控制器等,提供高效的开关性能和良好的热管理。
3. **汽车电子**:适用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、起停系统等,满足汽车应用中对可靠性和耐久性的高要求。
4. **工业自动化**:如伺服驱动器、逆变器和自动化控制设备中的功率开关,支持高负载电流和频繁开关操作。
5. **太阳能逆变器与储能系统**:用于光伏逆变器和储能设备中的功率转换模块,提升能源转换效率并延长系统寿命。
IRF3205, FDP6030L, SiHH60N100E