时间：2025/9/29 16:55:54
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TM200DZ-M是一款由Toshiba（东芝）公司生产的光耦合器（光电耦合器），广泛应用于需要电气隔离的电路中，以实现信号传输的同时阻断地环路干扰或高压窜入低压侧的风险。该器件结合了一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管（LED）和一个集成的光敏探测器，通常为光敏三极管或光敏IC结构，具备较高的隔离电压能力和良好的抗噪声性能。TM200DZ-M属于高可靠性光耦系列，适用于工业控制、电源管理、通信接口等对安全性和稳定性要求较高的场合。
该器件采用小型化表面贴装封装（如SOP-4或类似4引脚封装），便于在紧凑型PCB设计中使用，并支持自动化贴片工艺。其工作温度范围通常覆盖工业级标准（-40°C至+100°C或更宽），确保在恶劣环境下的稳定运行。TM200DZ-M的设计注重长期可靠性和快速响应能力，在开关电源反馈回路、PLC输入模块、逆变器驱动隔离等场景中表现优异。此外，该型号符合多项国际安全标准，包括UL、CSA、VDE等认证，满足增强型绝缘系统的要求，适合用于需要功能隔离或安全隔离的应用场景。
类型：光电晶体管输出光耦
通道数：1
电流传输比（CTR）：50%～600%（典型值，测试条件IF=5mA, VCE=5V）
集电极-发射极电压（VCEO）：35V
发射极-集电极电压（VECO）：6V
集电极电流（IC）：50mA
正向电压（VF）：1.2V（典型值，IF=10mA）
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
隔离电压（Viso）：5000VRMS（1分钟，AC）
响应时间：上升时间（tr）≤ 4μs，下降时间（tf）≤ 3μs
封装形式：SOP-4
输入端LED波长：~940nm
绝缘电阻：≥ 10^11 Ω
介电强度：5kVrms/min
尺寸：约4.9mm × 3.7mm × 2.1mm
TM200DZ-M具备出色的电气隔离性能，其隔离电压高达5000VRMS，能够有效防止高压侧对低压控制电路的干扰与损害，适用于需要高安全等级的工业设备和电力电子系统。该光耦内部采用高效率GaAs红外LED与硅基光敏三极管配对设计，确保了稳定的光传输效率和较长的使用寿命。在常温下，其电流传输比（CTR）范围宽广，典型值可达50%至600%，这意味着即使在较低的输入驱动电流下也能实现有效的输出信号放大，从而降低前级驱动电路的功耗需求，并提高系统的能效表现。
该器件具有快速的开关响应能力，上升和下降时间均控制在微秒级别，使其适用于中高速数字信号隔离传输场合，例如变频器中的PWM信号隔离、PLC数字输入模块的数据采集以及开关电源的反馈控制环路。同时，由于采用了表面贴装SOP-4封装，TM200DZ-M不仅节省PCB空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合回流焊工艺，提升了生产良率和产品一致性。
在环境适应性方面，TM200DZ-M的工作温度范围覆盖-40°C至+100°C，能够在高温工业环境中长期稳定运行而不出现性能衰减。其高绝缘电阻（≥10^11Ω）和低漏电流特性进一步增强了系统的可靠性，尤其是在潮湿或多尘环境下仍能保持良好性能。此外，该器件通过了UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5等国际安全标准认证，支持增强型绝缘应用，满足医疗设备、工业自动化、新能源等领域对功能安全的严格要求。
TM200DZ-M广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，它常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压调节信号传递到初级侧控制器，同时阻断高压与低压之间的直接电气连接，保障系统安全并提升稳定性。在工业自动化领域，该光耦可用于可编程逻辑控制器（PLC）的输入模块，对接传感器或按钮信号，实现现场设备与内部逻辑电路之间的隔离，避免因地电位差或瞬态电压引起的误动作或损坏。
在电机驱动与逆变器系统中，TM200DZ-M可用于隔离控制信号（如使能、方向、故障报警等），确保微控制器不受功率桥臂产生的高dv/dt干扰影响。此外，该器件也适用于通信接口隔离，如RS-232、RS-485等总线系统中，用来隔离数据收发单元，防止远距离传输过程中引入的共模噪声或雷击浪涌对主控芯片造成损伤。
其他应用场景还包括不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电桩、家用电器控制板、医疗设备电源隔离等。因其具备高可靠性、宽工作温度范围和强抗干扰能力，TM200DZ-M特别适合部署在严苛工业环境或长期无人值守的设备中。
TLP290-4,TLP354,TLP785,PC817X1NIP0F,HCPL-260L
