AO512S-2W 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(AOS)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件广泛应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等高效率、高密度电源转换系统中。AO512S-2W 采用了先进的封装技术和优化的芯片设计,以提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时具备良好的热稳定性和可靠性。其封装形式为 8-Pin SOIC,符合 RoHS 环保标准。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS:30V
栅源电压 VGS:20V(最大值)
连续漏极电流 ID:8A(@25°C)
导通电阻 RDS(on):17mΩ(@VGS=10V)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:8-Pin SOIC
AO512S-2W 的设计优化了其在中低电压应用中的性能表现。其低导通电阻(RDS(on))特性显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率,特别适合高频开关应用。该器件能够在高电流负载下保持稳定的性能,且具备良好的热管理能力,有助于在紧凑的电路设计中维持温度稳定性。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOS 技术,使得其在保持高电流能力的同时,还能实现较小的芯片尺寸,从而提高集成度并减小整体 PCB 面积。AO512S-2W 的栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,适用于多种控制电路和电源管理 IC(PMIC)的直接驱动。
此外,AO512S-2W 还具有优异的雪崩能量承受能力和短路耐受能力,提升了器件在严苛工作环境中的可靠性和耐用性。它广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多种应用领域。其封装符合 RoHS 标准,满足环保设计要求,同时也具备良好的焊接性能和机械强度,适用于自动贴片工艺。
AO512S-2W 主要用于需要高效能功率开关的电路中。典型应用包括同步整流 DC-DC 降压转换器、升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、马达驱动电路、LED 照明调光控制、服务器电源模块、笔记本电脑和移动设备电源管理单元等。在汽车电子中,该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车载娱乐系统等场景。
由于其高效率和良好的热管理性能,AO512S-2W 也常用于高密度电源模块设计,例如多相电源系统、嵌入式电源系统和分布式电源架构中。其高可靠性和宽温度适应性使其在工业自动化设备、智能电表、UPS 不间断电源系统中也具有广泛应用。
Si4410BDY-E3-GEVB, FDS4410A, AO4410, NVTFS5C471NL, IPB016N04NG