型号：TM130DZ-20
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：30A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（max）@ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（max）@ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：3600pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：920pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DPak（TO-252）
　　安装方式：表面贴装

TM130DZ-20采用了东芝先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构能够有效降低单位面积的导通电阻，从而提升器件的整体效率。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为4.7mΩ，在同类20V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流工作条件下产生的导通损耗更低，有助于减少发热并提高电源系统的能量转换效率。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为40nC，这使得它在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，可以配合简单的驱动芯片实现快速开关，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。同时，其输出电容（Coss）也经过优化，有助于减少关断过程中的能量损耗，特别适用于高频率工作的同步整流和DC-DC降压变换器。
　　TM130DZ-20具备良好的热稳定性，其封装采用TO-252（DPak）形式，底部带有散热片，可通过PCB上的铜箔或散热焊盘将热量迅速传导出去，有效控制工作温度。在实际应用中，合理布局PCB走线和增加散热面积可显著提升其持续负载能力。此外，该器件通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能保持稳定性能，适合用于汽车电子系统。
　　该MOSFET还内置了快速体二极管，反向恢复时间（trr）仅为28ns，减少了在续流过程中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统的可靠性和EMI表现。同时，器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力，延长使用寿命。

TM130DZ-20主要应用于需要高效、低损耗功率开关的场合，尤其适合低压大电流环境下的直流电源管理。它常被用作同步整流器中的主开关管或下管，在降压型（Buck）DC-DC转换器中发挥关键作用，例如在主板VRM（电压调节模块）、笔记本电脑电源、GPU供电系统等场景中提供高效的能量转换。
　　在电池供电设备中，如移动电源、电动工具、无人机和便携式医疗设备，TM130DZ-20凭借其低导通电阻和高效率特性，有助于延长电池续航时间并减少发热问题。此外，该器件也可用于电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，控制小型直流电机或步进电机的正反转与调速，广泛应用于家电、办公自动化设备和工业控制系统中。
　　由于其具备汽车级可靠性，TM130DZ-20也被广泛用于车载电子系统，如车载充电器（OBC）、车身控制模块、LED车灯驱动和辅助电源单元等。在这些应用中，器件需承受较大的温度波动和电气噪声干扰，而TM130DZ-20的稳健设计确保了长期运行的稳定性与安全性。此外，它还可用于热插拔控制器、负载开关和过流保护电路中，作为主控开关器件实现快速响应与安全切断功能。

TK030N20W,RJK030N20D,TSM200N02CJL