类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：7A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.16Ω（在 Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：25W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

TLN105BF 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。
　　该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 7A，使其适用于中高功率应用。
　　其最大漏源电压为 100V，适用于多种电源转换拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）变换器。
　　此外，TLN105BF 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。
　　该 MOSFET 还具备较高的热稳定性与耐用性，能够在恶劣的工作环境中保持可靠性能。
　　由于其栅极驱动电压范围较宽（±20V），TLN105BF 可与多种驱动电路兼容，增加了设计的灵活性。
　　其封装形式也便于安装和散热管理，适合工业级应用和高密度电路板设计。

TLN105BF 广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和功率放大器。
　　在工业自动化系统中，该器件常被用于控制大功率负载的开关操作，例如继电器驱动、电磁阀控制和电机启停。
　　在消费类电子产品中，TLN105BF 可用于电源管理模块，以提高设备的能效和延长电池续航时间。
　　此外，该 MOSFET 还适用于新能源系统，如太阳能逆变器、储能系统以及电动车充电模块中的功率控制环节。
　　其优异的导通特性和热稳定性也使其成为汽车电子系统中不可或缺的元件之一。

STP75NF75, IRFZ44N, FDPF6N60